IRG4PH30KDPBF价格

参考价格:¥12.3324

型号:IRG4PH30KDPBF 品牌:INTERNATIONAL RECTIFIER 备注:这里有IRG4PH30KDPBF多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IRG4PH30KDPBF批发/采购报价,IRG4PH30KDPBF行情走势销售排行榜,IRG4PH30KDPBF报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRG4PH30KDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiency thanpreviousgenerations •IGBTco-packagedwithHE

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IRG4PH30KDPBF

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IRG4PH30KDPBF

封装/外壳:TO-247-3 包装:卷带(TR) 描述:IGBT 1200V 20A 100W TO247AC 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=1200V,Vce(on)typ.=3.10V,@Vge=15V,Ic=10A)

Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiency thanpreviousgenerations •IGBTco-packagedwithHE

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IRG4PH30KDPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4PH30KDPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 4-20 KHZ COPACK IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-4-29 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
2020+
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50000
全新原装正品现货,支持订货

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