型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRG4PC40KDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

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IRG4PC40KDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

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IRG4PC40KDPBF

封装/外壳:TO-247-3 包装:卷带(TR) 描述:IGBT 600V 42A 160W TO247AC 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

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Infineon

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.32V,@Vge=15V,Ic=31A)

StandardSpeedIGBT Features •Standard:Optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies(

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.1.72V,@Vge=15V,Ic=20A)

Benefits •Generation4IGBTsofferhighestefficiencyavailable •IGBTsoptimizedforspecifiedapplicationconditions •Designedtobeadrop-inreplacementforequivalent industry-standardGeneration3IRIGBTs Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHz

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.05V,@Vge=15V,Ic=20A)

Benefits •Lowerswitchinglossesallowmorecost-effective operationthanpowerMOSFETsupto150kHz (hardswitchedmode) •Ofparticularbenefittosingle-endedconvertersand boostPFCtopologies150Wandhigher •Lowconductionlossesandminimalminority-carrier recombinat

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InsulatedGateBipolarTransistor

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InfineonInfineon Technologies AG

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IRG4PC40KDPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4PC40KDPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-1 12:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
21+
65230
IR
2016+
TO-247
5562
只做进口原装现货!或订货!假一赔十!
原厂原包
2022+
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38560
原装进口现货,工厂客户可以放款。17377264928微信同
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22+
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原装现货假一罚十
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9600
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2020+
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80000
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INFINEON/英飞凌
21+ROHS
TO-247AC
31600
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IR
20+
TO-247
38900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
IR
2024+原装现货
TO-247
8950
BOM配单专家,发货快,价格低

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