IRG4BH20K-SPBF价格

参考价格:¥6.1425

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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRG4BH20K-SPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

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IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

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IRG4BH20K-SPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

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IRG4BH20K-SPBF

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 包装:管件 描述:IGBT 1200V 11A 60W D2PAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

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IRF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(VCES=1200V,VCE(on)typ.=3.17V,@VGE=15V.Ic=5.0A)

Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs@VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious

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TrenchField-StopIGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.4V(Typ)@IC=5A ·LowSwitchingLosses ·VCE(sat)withPositiveTemperatureCoefficient APPLICATIONS ·FrequencyConverters ·Homeappliances ·Lighting

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

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IRG4BH20K-SPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4BH20K-SPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-19 16:42:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR进口
TO-263
68900
原包原标签100%进口原装常备现货!
IR
17+
TO-263
6200
100%原装正品现货
IR
23+
D2PAK
12300
全新原装真实库存含13点增值税票!
INFINEON-英飞凌
24+25+/26+27+
TO-263-3
9328
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
23+
2013+
7300
专注配单,只做原装进口现货
INFINEON/英飞凌
2021+
SMD
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
VISHAY
2018+
TO-263
12000
VISHAY专营进口原装现货假一赔十
IR
23+
D2PAK
10000
公司只做原装正品
Infineon
18+
NA
3000
进口原装正品优势供应QQ3171516190
InfineonTechnologies
19+
D2PAK
56800
只卖原装正品!价格超越代理!可开增值税发票!

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