型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.66V,@Vge=15V,Ic=9.0A)

Features •Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-soft-recoveryanti-pa

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 包装:管件 描述:IGBT 600V 16A 60W D2PAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 包装:管件 描述:IGBT 600V 16A 60W D2PAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.66V,@Vge=15V,Ic=9.0A)

Features •Fast:Optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits •Genera

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.66V,@Vge=15V,Ic=9.0A)

Features •Fast:optimizedformediumoperatingfrequencies (1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistribution andhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-soft-recovery

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFRRECOVERYDIODE

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

FitRate/EquivalentDeviceHours

文件:98.39 Kbytes Page:35 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

FitRate/EquivalentDeviceHours

文件:98.39 Kbytes Page:35 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

IRG4BC20FD-STR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4BC20FD-STR

  • 功能描述

    IGBT FAST 600V 16A LEFT D2PAK

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    30

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开)

    3V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    200A 功率 -

  • 最大

    830W

  • 输入类型

    标准

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商设备封装

    PLUS247?-3

  • 包装

    管件

更新时间:2024-6-1 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
23+
NA/
2400
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
Infineon Technologies
21+
D2PAK
13880
公司只售原装,支持实单
IR
2022
TO-263
80000
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询
IR
07+/08+
TO-220AB
205
IR
TO-263
265209
假一罚十原包原标签常备现货!
VISHAY-威世
24+25+/26+27+
TO-263-3
78800
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
INFINEON/IR
23+
TO-263
6000
公司十几年如一日,只做原装正品,优势渠道保证每一片
IFA
2021+
SMD
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
Infineon Technologies
24+
TO-263-3,D?Pak(2 引线 + 接片
9350
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证
Infineon Technologies
23+
原装
8000
只做原装现货

IRG4BC20FD-STR芯片相关品牌

  • ARIES
  • Bourns
  • FERROXCUBE
  • Fuji
  • KOA
  • MEANWELL
  • PREDIP
  • RFE
  • SMC
  • TRUMPOWER
  • WPI
  • YANGJIE

IRG4BC20FD-STR数据表相关新闻