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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRFZ34E | HEXFET POWER MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   |
HEXFET짰 Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
IRFZ34E产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRFZ34E
- 功能描述
MOSFET N-CH 60V 28A TO-220AB
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
HEXFET®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
08+(pbfree) |
TO-220AB |
8866 |
||||
IR/VISHAY |
23+ |
TO-220 |
32500 |
公司只做原装正品 |
|||
IR |
2020+ |
TO220 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
IR/VISHAY |
20+ |
TO-220 |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
InfineonTechnologies |
2019+ |
TO-220-3 |
65500 |
原装正品货到付款,价格优势! |
|||
IR |
1422+ |
TO220 |
119 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
IR |
1422+ |
TO220 |
119 |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
|||
IR |
17+ |
TO-220AB |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
|||
IR |
23+ |
TO-220 |
35890 |
||||
IR/VISHAY |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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IRFZ34E规格书下载地址
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2019-11-1
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