IRFS4227PBF价格

参考价格:¥5.6535

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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRFS4227PBF

PDPSWITCH

Description ThisHEXFETPowerMOSFETisspecificallydesignedforSustain,EnergyRecovery&PassswitchapplicationsinPlasmaDisplayPanels. Features ●AdvancedProcessTechnology ●KeyParametersOptimizedforPDPSustain, EnergyRecoveryandPassSwitchApplications ●LowEPULSE

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFS4227PBF

AdvancedProcessTechnology

Description ThisHEXFETPowerMOSFETisspecificallydesignedforSustain,EnergyRecovery&PassswitchapplicationsinPlasmaDisplayPanels. Features ●AdvancedProcessTechnology ●KeyParametersOptimizedforPDPSustain, EnergyRecoveryandPassSwitchApplications ●LowEPULSE

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IRF
IRFS4227PBF

AdvancedProcessTechnology

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IRF

LowVoltageFreeDelayTimeSettingCMOSVoltageDetectorICSeries

GeneralDescription ROHM’sBU42xxandBU43xxseriesareCMOSVoltageDetectorICswithadjustableoutputdelay.Itisahigh-accuracy,lowcurrentconsumptionVoltageDetectorICserieswithabuilt-indelaycircuit.Thelineupwasestablishedwithtwooutputtypes(NchopendrainandCMOSoutput

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

ShortyCableHolders

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Heyco

Heyco

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ShortyCableHolders

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Heyco

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AudiohubdemonstrationkitsupportingtheMP45DT02

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STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

LowVoltageFreeDelayTimeSettingCMOSVoltageDetectorICSeries

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ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

IRFS4227PBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFS4227PBF

  • 功能描述

    MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 26mOhms

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-16 11:57:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon Technologies
21+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
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公司只售原装,支持实单
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