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IRFR2607Z	AUTOMOTIVEMOSFET 文件：283.4 Kbytes Page：11 Pages	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFR2607Z	AUTOMOTIVEMOSFET 文件：4.33814 Mbytes Page：11 Pages	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
IRFR2607Z	AUTOMOTIVEMOSFET 文件：4.26948 Mbytes Page：11 Pages	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
IRFR2607Z	N-ChannelMOSFETTransistor 文件：335.28 Kbytes Page：2 Pages	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IRFR2607ZPBF	AdvancedProcessTechnology 文件：342 Kbytes Page：11 Pages	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFR2607ZPBF	AdvancedProcessTechnology 文件：4.14159 Mbytes Page：11 Pages	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
IRFR2607ZPBF	AUTOMOTIVEMOSFET 文件：4.34193 Mbytes Page：11 Pages	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
IRFR2607ZPBF	AdvancedProcessTechnology 文件：342 Kbytes Page：11 Pages	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFR2607ZPBF	AUTOMOTIVEMOSFET 文件：352.34 Kbytes Page：12 Pages	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFR2607ZPBF_15	AdvancedProcessTechnology 文件：342 Kbytes Page：11 Pages	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFR2607ZTRPBF	AdvancedProcessTechnology 文件：342 Kbytes Page：11 Pages	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFR2607ZTRR	AdvancedProcessTechnology 文件：4.07373 Mbytes Page：11 Pages	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
2607	TurnCountingDial TurnCountingDial Model2600Series Features: •7/8”diameter •Analog	TTELECTT Electronics. TT电子公司梯梯电子集成制造服务(苏州)有限公司
2607	TurnsCountingDial 7/8”DiameterAnalogTurnsCountingDial	BITECH 瑞谷拜特上海瑞谷拜特软件技术有限公司
2607	BandpassFilter GeneralDescription KR2607isa89.6MHzsurfacemountbandpassfilter.Othercenterfrequenciesandbandwidthsavailable.Pleaseconsultthefactory. Features •SurfaceMountPackage •SharpTransitiontoStopband •>50dBStopband •50ΩSourceandLoad	KRKR Electronics, Inc. KR Electronics, Inc.
2607S	TurnCountingDial TurnCountingDial Model2600Series Features: •7/8”diameter •Analog	TTELECTT Electronics. TT电子公司梯梯电子集成制造服务(苏州)有限公司
2607S	TurnsCountingDial 7/8”DiameterAnalogTurnsCountingDial	BITECH 瑞谷拜特上海瑞谷拜特软件技术有限公司

IRFR2607Z产品属性

类型
描述
型号
IRFR2607Z
功能描述
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
RoHS
否
类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列
HEXFET®
标准包装
1,000
系列
MESH OVERLAY™ FET
型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds
1560pF @ 25V 功率 -
最大
40W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商设备封装
TO-220FP
包装
管件

IRFR2607Z供应商更多...

更新时间：2024-6-14 20:00:00

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