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IRFR18N15D价格
参考价格：￥2.6922
型号：IRFR18N15DPBF 品牌：IR 备注：这里有IRFR18N15D多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRFR18N15D批发/采购报价，IRFR18N15D行情走势销售排行榜，IRFR18N15D报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRFR18N15D | SMPSMOSFET Applications HighfrequencyDC-DCconverters Benefits 1.LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses 2.FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) 3.FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   |
IRFR18N15D | N-ChannelMOSFETTransistor 文件：335.68 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | |
IRFR18N15D | SMPSMOSFET 文件：1.61353 Mbytes Page：8 Pages | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. |  | |
LowGatetoDrainChargetoReduce 文件：902.61 Kbytes Page：10 Pages | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. | | | |
HighfrequencyDC-DCconverters 文件：226.4 Kbytes Page：11 Pages | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
SMPSMOSFET 文件：217.25 Kbytes Page：10 Pages | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
HighfrequencyDC-DCconverters 文件：226.4 Kbytes Page：11 Pages | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
SMPSMOSFET 文件：3.8196 Mbytes Page：10 Pages | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. | | | |
HighfrequencyDC-DCconverters 文件：226.4 Kbytes Page：11 Pages | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
CommercialNormallyOpenMulti-throw,DC-3GHz,LowPIM 文件：591.23 Kbytes Page：10 Pages | WILLOW Willow Technologies Ltd |  | | |
CommercialNormallyOpenMulti-throw,DC-3GHz,LowPIM 文件：591.23 Kbytes Page：10 Pages | WILLOW Willow Technologies Ltd | | | |
CommercialNormallyOpenMulti-throw,DC-3GHz,LowPIM 文件：591.23 Kbytes Page：10 Pages | WILLOW Willow Technologies Ltd | | | |
CommercialNormallyOpenMulti-throw,DC-3GHz,LowPIM 文件：591.23 Kbytes Page：10 Pages | WILLOW Willow Technologies Ltd | | | |
CommercialNormallyOpenMulti-throw,DC-3GHz,LowPIM 文件：591.23 Kbytes Page：10 Pages | WILLOW Willow Technologies Ltd | | |
IRFR18N15D产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRFR18N15D
- 功能描述
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
HEXFET®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
04+ |
SOT252 |
4485 |
原装现货!低价支持实单!贵了给接受价格! |
|||
IR |
03+ |
NA |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
INFINE0N |
21+ |
DPAK (TO-252) |
32568 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营 |
|||
IR |
21+ |
TO-252 |
50000 |
终端可免费提供样品,欢迎咨询 |
|||
IR |
21+ |
TO-252 |
5587 |
原装现货库存 |
|||
IR |
2020+ |
SOT252 |
139 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-252 |
24250 |
专营INFINEON/英飞凌全新原装进口正品 |
|||
IRFR18N15D |
39 |
39 |
|||||
isc |
2024 |
DPAK/TO-252 |
4000 |
国产品牌isc,可替代原装 |
|||
IR |
23+ |
SOT252 |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
IRFR18N15D芯片相关品牌
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IRFR18N15D参数引脚图相关
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IRFR18N15D数据表相关新闻
IRFR15N20DTRPBF
表面贴装型N通道200V17A（Tc）3W（Ta），140W（Tc）D-PAK（TO-252AA）
2022-10-19IRFR13N20DTRPBF
联系人张生电话19926428992QQ1924037095
2021-10-12IRFR13N20DTRPBF
属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss)200V 连续漏极电流(Id)13A 功率(Pd)110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs，Id)235mΩ10V，8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)5.5V250μA 类型N沟道
2021-10-12IRFR320TRPBF深圳原装进口无铅现货
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2021-1-26IRFR320TRPBF深圳原装无铅现货
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2020-12-24IRFR2405PDF资料原装正品供应商
IRFR2405PDF资料
2019-1-28
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