型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.235ohm,Id=13A)

Benefits •LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications •HighfrequencyDC-DCconverters

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.235ohm,Id=13A)

Benefits •LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications •HighfrequencyDC-DCconverters

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

SMPSMOSFET

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KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI

N-ChannelMOSFETTransistor

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-ChannelMOSFETTransistor

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

IRFR13N20DTRRP产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFR13N20DTRRP

  • 功能描述

    MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 235mOhms 25nC

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-11 22:58:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
2016+
TO252
5623
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
IR
2020+
TO-252
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
INFINEON/IR
1907+
NA
4000
20年老字号,原装优势长期供货
IR/VISHAY
20+
TO-252
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
IR
17+
TO-252
9700
绝对原装正品现货假一罚十
INFINEON/英飞凌
23+
TO-252
76000
IR英飞凌VISHAY专做 全新原装进口正品假一赔百,可开13
IR
360000
原厂原装
1305
IR
23+
D-Pak
8600
全新原装现货
INFINEON/英飞凌
24+
TO-252
159978
明嘉莱只做原装正品现货
INFINEON/英飞凌
21+
TO-252
18000
全新、原装

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