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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.235ohm,Id=13A) Benefits •LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications •HighfrequencyDC-DCconverters | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   | |
PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.235ohm,Id=13A) Benefits •LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications •HighfrequencyDC-DCconverters | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
SMPSMOSFET 文件：3.72818 Mbytes Page：10 Pages | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. |  | | |
N-ChannelMOSFETTransistor 文件：335.82 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
N-ChannelMOSFETTransistor 文件：335.82 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | |
IRFR13N20DCTRRP产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRFR13N20DCTRRP
- 功能描述
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
HEXFET®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
22+ |
TO-252 |
10000 |
原装正品!!!优势库存!0755-83210901 |
|||
IR |
23+ |
TO-252 |
12300 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
IR |
23+ |
SOT-252 |
65400 |
||||
IR/VISHAY |
20+ |
TO-252 |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
IR |
21+ |
TO-252 |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
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IR |
22+ |
TO-252 |
21350 |
原装正品，实单请联系 |
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IR |
2020+ |
TO-252 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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INFINEON |
21+ |
TO-252 |
20000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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IR |
23+ |
TO-252 |
22000 |
原装现货假一罚十 |
|||
Infineon英飞凌专营 |
TO-252 |
9000 |
原装现货当天可交货,长期备货支持BOM配单账期 |
IRFR13N20DCTRRP芯片相关品牌
IRFR13N20DCTRRP规格书下载地址
IRFR13N20DCTRRP参数引脚图相关
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- l100
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- kse13005
- ks20
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IRFR15N20DTRPBF
表面贴装型N通道200V17A（Tc）3W（Ta），140W（Tc）D-PAK（TO-252AA）
2022-10-19IRFP4668PBF 全新原装现货
IRFP4668PBF
2022-6-27IRFR13N20DTRPBF
联系人张生电话19926428992QQ1924037095
2021-10-12IRFR13N20DTRPBF
属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss)200V 连续漏极电流(Id)13A 功率(Pd)110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs，Id)235mΩ10V，8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)5.5V250μA 类型N沟道
2021-10-12IRFP460PBF
IRFP460PBF
2021-5-20IRFP460PBF 原装正品 现货供应
IRFP460PBF原装现货供应0755-2889238913713856319QQ:2639752116
2021-3-12
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