型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

HEXFETPowerMOSFET(VDSS=250V,RDS(on)max=0.26廓,ID=14A)

Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●Lead-Free

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

SMPSMOSFET

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英飞凌英飞凌科技公司

IRF

HighfrequencyDC-DCconverters

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英飞凌英飞凌科技公司

IRF

12A,250VN-CHANNELPOWERMOSFET

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UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

12A,250VN-CHANNELPOWERMOSFET

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UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

IRFR12N25DCTRRP产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFR12N25DCTRRP

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 250V 14A DPAK

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2024-6-7 13:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
21+
TO252
50000
终端可免费提供样品,欢迎咨询
IR
21+
TO-252
10000
原装现货假一罚十
Infineon Technologies
23+
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC
9000
原装正品,支持实单
Infineon Technologies
23+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
IR
23+
DPAK
12300
全新原装真实库存含13点增值税票!
IR
22+
TO-252
360000
进口原装房间现货实库实数
InternationRectifer
22+
NA
30000
100%全新原装 假一赔十
IR
20+
DPAK
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
IR
22+
原厂封装
15850
原装正品,实单请联系
IR
2024+实力库存
TO-252
2038
只做原厂渠道 可追溯货源

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