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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
HEXFETPowerMOSFET(VDSS=250V,RDS(on)max=0.26廓,ID=14A) Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●Lead-Free | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   | |
SMPSMOSFET Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●Lead-Free | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. |  | | |
SMPSMOSFET 文件：115.42 Kbytes Page：10 Pages | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
HighfrequencyDC-DCconverters 文件：231.09 Kbytes Page：11 Pages | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
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12A,250VN-CHANNELPOWERMOSFET 文件：194.75 Kbytes Page：5 Pages | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 |  | | |
12A,250VN-CHANNELPOWERMOSFET 文件：204.28 Kbytes Page：5 Pages | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | | |
IRFR12N25产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRFR12N25
- 功能描述
MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
HEXFET®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
252 |
1556 |
专业优势供应 |
|||
IR |
2024+实力库存 |
TO-252 |
2038 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
InternationRectifer |
22+ |
NA |
30000 |
100%全新原装 假一赔十 |
|||
IR |
23+24 |
TO-252 |
29840 |
主营MOS管,二极.三极管,肖特基二极管.功率三极管 |
|||
IR |
2022 |
DPAK |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
|||
IR |
22+/23+ |
TO-252 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
|||
IR |
20+ |
TO-252 |
90000 |
全新原装正品/库存充足 |
|||
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
IR |
21+ |
TO252 |
50000 |
终端可免费提供样品,欢迎咨询 |
|||
IR |
21+ |
TO-252 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
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IRFR15N20DTRPBF
表面贴装型N通道200V17A（Tc）3W（Ta），140W（Tc）D-PAK（TO-252AA）
2022-10-19IRFP4668PBF 全新原装现货
IRFP4668PBF
2022-6-27IRFR13N20DTRPBF
联系人张生电话19926428992QQ1924037095
2021-10-12IRFR13N20DTRPBF
属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss)200V 连续漏极电流(Id)13A 功率(Pd)110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs，Id)235mΩ10V，8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)5.5V250μA 类型N沟道
2021-10-12IRFP460PBF
IRFP460PBF
2021-5-20IRFP460PBF 原装正品 现货供应
IRFP460PBF原装现货供应0755-2889238913713856319QQ:2639752116
2021-3-12
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