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位置：首页 > IC中文资料第2926页 > IRFR1205

IRFR1205价格

参考价格：￥2.2039

型号：IRFR1205PBF 品牌：INTERNATIONAL 备注：这里有IRFR1205多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRFR1205批发/采购报价，IRFR1205行情走势销售排行榜，IRFR1205报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRFR1205

PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.027ohm,Id=44A??

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFR1205

UltraLowOn-Resistance

Description TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thestraightleadversion(IRFUseries)isforthroughholemountingapplications.Powerdissipationlevelsupto1.5wattsarepossibleintypicalsurfacemountapplications. •Ultr

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI
IRFR1205

N-ChannelMOSFETTransistor

文件：334.65 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IRFR1205PBF

HEXFETPowerMOSFET

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFR1205PBF

ULTRALOWON-RESISTANCE

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI
IRFR1205TR

UltraLowOn-Resistance

Features VDS(V)=55V ID=44A(VGS=10V) RDS(ON)27m(VGS=10V)

UMWUMW

友台友台半导体

UMW
IRFR1205TRPBF

UltraLowOn-Resistance

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFR1205PBF

ULTRALOWONRESISTANCE

文件：398.79 Kbytes Page：11 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFR1205PBF_15

ULTRALOWONRESISTANCE

文件：398.79 Kbytes Page：11 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFR1205TRPBF

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

文件：988.71 Kbytes Page：6 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
IRFR1205TRR

UltraLowOn-Resistance

文件：4.02641 Mbytes Page：10 Pages

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI
IRFR1205TRRPBF

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

文件：988.67 Kbytes Page：6 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
A1205

Continuous-TimeBipolarSwitch

Description TheAllegro®A1205Hall-effectbipolarswitchisanextgenerationreplacementandextensionofthepopularAllegroA3134bipolarswitch.TheA1205hasidenticalspecificationsastheA1201butisrecommendedforapplicationsthatrequirepulsingVCCtoconservepower.Forstandard

Allegro

Allegro MicroSystems

Allegro
A1205

ACFilmCapacitorsLighting

Features ■Self-healingproperties ■Lowdissipationfactor ■Highinsulationresisitance Construction ■Dielectric:polypropylenefilm ■Aluminiumcan ■Softpolyurethanresin ■Internaldischageresistor ■Overpressuredisconnector Typicalapplications Forgeneralsinewaveapplicat

EPCOSEPCOS - TDK Electronics

爱普科斯爱普科斯与TDK元件事业部

EPCOS
1205

RFCoatedChokes(AxialLeads)

文件：124.87 Kbytes Page：2 Pages

FRONTIER

Frontier Electronics

FRONTIER
1205

3M??PolyimideFilmElectricalTape1205

文件：24.88 Kbytes Page：2 Pages

3MMinnesota Mining and Manufacturing

明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司

3M
A1205(X)T-1W

1W,FIXEDINPUT,ISOLATED&UNREGULATEDDUALOUTPUTDC-DCCONVERTERULTRAMINIATURESMDPACKAGE

文件：445.61 Kbytes Page：5 Pages

MORNSUNGuangzhou Jinshengyang Technology Co., Ltd

金升阳广州金升阳科技有限公司

MORNSUN

IRFR1205产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFR1205

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 55V 44A DPAK

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

IRFR1205供应商更多...

更新时间：2024-4-27 15:36:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司
IRFR1205
IR
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深圳市昌和盛利电子有限公司
IRFR1205
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深圳市智创诚芯电子科技有限公司
IRFR1205PBFMOS(场效应管)
INFINEON/英飞凌
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深圳市芯祺盛科技有限公司
IRFR1205TRPBF
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IRFR1205TRPBF
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