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位置：首页 > IC中文资料第2155页 > IRFP22N60

IRFP22N60价格

参考价格：￥13.6069

型号：IRFP22N60KPBF 品牌：Vishay 备注：这里有IRFP22N60多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRFP22N60批发/采购报价，IRFP22N60行情走势销售排行榜，IRFP22N60报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRFP22N60K

SMPSMOSFET

Benefits •LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •EnhancedBodyDiodedv/dtCapability Applications •HardSwitchingPrimaryorPFSSwitch •SwitchM

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFP22N60K

PowerMOSFET

FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive   Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt   Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage   andCurrent •EnhancedBodyDiodedV/dtCapability •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC BENEFITS

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
IRFP22N60K

iscN-ChannelMOSFETTransistor

•DESCRITION •SwitchingVoltageRegulators •FEATURES •Lowdrain-sourceon-resistance: RDS(ON)=0.28Ω(MAX) •Enhancementmode: Vth=3.0to5.0V(VDS=10V,ID=0.25mA) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IRFP22N60K

PowerMOSFET

FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanchevoltage andcurrent •EnhancedbodydiodedV/dtcapability •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance ple

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
IRFP22N60K_V01

PowerMOSFET

FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanchevoltage andcurrent •EnhancedbodydiodedV/dtcapability •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance ple

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
IRFP22N60KPBF

PowerMOSFET

FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive   Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt   Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage   andCurrent •EnhancedBodyDiodedV/dtCapability •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC BENEFITS

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
IRFP22N60KPBF

HEXFETPowerMOSFET

Benefits •LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •EnhancedBodyDiodedv/dtCapability Applications •HardSwitchingPrimaryorPFSSwitch •SwitchM

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFP22N60C3PBF

封装/外壳：TO-247-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT） 描述：MOSFET N-CH 650V 22A TO247-3 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
22N60

HEXFETPOWERMOSFET

DESCRIPTION AstheSMPSMOSFET,theUTC22N60usesUTC’sadvancedtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithlowgatevoltages.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES *RDS(ON)=0.35Ω *UltraLowGateCharge

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
FCA22N60N

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=22A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=165mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
22N60

22A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET

文件：211.84 Kbytes Page：6 Pages

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
ET-22N60

N-ChannelMOSFET

文件：986.23 Kbytes Page：2 Pages

ESTEKEstek Electronics Co. Ltd

Estek Electronics Co. Ltd

ESTEK
FCA22N60N

N-ChannelMOSFET600V,22A,0.165W

文件：532.87 Kbytes Page：8 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

IRFP22N60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFP22N60

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 650V 22A TO-247AC

  • RoHS

    是

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

IRFP22N60供应商更多...

更新时间：2024-6-7 11:19:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
中天科工半导体（深圳）有限公司
IRFP22N60KPBF
Vishay Siliconix
24+
TO-247AC
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
询价
深圳市恒凯威科技开发有限公司
IRFP22N60KPBF
VISHAY/威世
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NA
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只做原装,质量保证
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深圳市美思瑞电子科技有限公司
IRFP22N60KPBF
IR
22+
TO247
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现货,原厂原装假一罚十!
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深圳市纳艾斯科技有限公司
IRFP22N60KPBF
VISHAY/威世
2020+
NA
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
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千层芯半导体(深圳)有限公司
IRFP22N60KPBF
VISHAY
2018+
TO-247
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VISHAY专营进口原装现货假一赔十
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深圳市辰德隆电子科技有限公司
IRFP22N60KPBF
VISHAY/威世
23+
NA
6000
可订货,请确认
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深圳市华来深电子有限公司
IRFP22N60KPBF
IR
23+
TO-247
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深圳市莱克讯科技有限公司
IRFP22N60KPBF
IR
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TO-247
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深圳市科恒伟业电子有限公司
IRFP22N60KPBF
2017+
TO247
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深圳市达恩科技有限公司
IRFP22N60KPBF
Vishay
18+
NA
3000
进口原装正品优势供应QQ3171516190
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