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IRFBC30L

Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=2.2ohm, Id=3.6A)

Description ThirdgenerationHEXFETsfrominternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableoftheaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.It

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

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IRFBC30L

Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=2.2ohm, Id=3.6A)

Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ●EffectiveCossspecified(SeeAN1001) Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●Uninterrupt

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IRFBC30L

Power MOSFET

FEATURES •Surface-mount(IRFBC30S,SiHFBC30S) •Low-profilethrough-hole(IRFBC30L,SiHFBC30L) •Availableintapeandreel(IRFBC30S, SiHFBC30S) •DynamicdV/dtrating •150°Coperatingtemperature •Fastswitching •Fullyavalancherated •Materialcategorization:fordefinitionsofc

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威世科技威世科技半导体

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IRFBC30L

Power MOSFET

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IRFBC30L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFBC30L

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2024-6-15 22:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
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