位置:首页 > IC中文资料第860页 > IRF634L
型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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T-1SubminiatureLamps T-1¼SubminiatureLamps | GILWAY Gilway Technical Lamp | |||
634MSeriesD-SubConnectors|MachinedPins|HighDensityThreeContactRowswith0.350(8.89mm)FootprintRightAngleBend|Receptacle Features HighDensityThreeContactRowswith.350(8.89mm)FootprintRightAngleBendwithMachinedContacts .090(2.29mm)ContactSpacing0.078(1.98mm)RowSpacing PlugandReceptaclein15,26,44or62ContactSizes PinandSocketContactMatingDesignwithP.C.TailTermination M | EDACEDAC, All Rights Reserved. 亚得电子亚得电子(东莞)有限公司 | |||
20VComplementaryEnhancementModeFieldEffectTransistor Description TheACE634combinesadvancedtrenchMOSFETtechnologywithalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).Thisdeviceisidealforloadswitchandbatteryprotectionapplications. Features •N-Channel VDS(V)=20V ID=4A RDS(ON) | ACE ACE Technology Co., LTD. | |||
LowFrequencies 文件:141.01 Kbytes Page:2 Pages | OSCILENT Oscilent Corporation | |||
DCaxialfans 文件:249.79 Kbytes Page:1 Pages | EBMPAPST ebm-papst |
IRF634L产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF634L
- 功能描述
MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-262
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
-
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ADAFRUIT |
20+ |
光电元件 |
259 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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20000 |
优势渠道 |
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ALTEAR直供 |
BGA |
2800 |
莱克讯每片来自原厂!价格超越代理!只做进口原装! |
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IR |
22+ |
SOP-8 |
6000 |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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AFCI |
23+ |
NA |
6000 |
可订货,请确认 |
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EDC |
1535+ |
998 |
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HONEYWELL |
07+ |
6000 |
绝对原装自己现货 |
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IRISO |
22+23+ |
CONNECTOR |
32913 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
HONEYWELL |
2023+ |
传感器 |
612 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
|||
Keystone Electronics |
2022+ |
1206 |
全新原装 货期两周 |
IRF634L规格书下载地址
IRF634L参数引脚图相关
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