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IRF630NS价格

参考价格：￥2.6249

型号：IRF630NSPBF 品牌：INTERNATIONAL 备注：这里有IRF630NS多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRF630NS批发/采购报价，IRF630NS行情走势销售排行榜，IRF630NS报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRF630NS

PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.30ohm,Id=9.3A)

Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF630NS

N-ChannelPowerMOSFETs200V,9.3A,0.30?

Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.200Ω(Typ),VGS=10V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER©ElectricalModels -SpiceandSABER©ThermalImpedanceModels •PeakCurrentvsPulseWidthCurve •UISRatingCurve

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
IRF630NS

HEXFETPowerMOSFET

文件：240.54 Kbytes Page：11 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF630NS

PowerMOSFET

文件：173.94 Kbytes Page：2 Pages

TEL

TRANSYS Electronics Limited

TEL
IRF630NSPBF

AdvancedProcessTechnology

Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF630NSTRLPBF

AdvancedProcessTechnology

Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF630NSPBF

HEXFETPowerMOSFET

文件：292.16 Kbytes Page：11 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF630NSPBF

AdvancedProcessTechnology

文件：340.74 Kbytes Page：11 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF630NSPBF

AdvancedProcessTechnology

文件：340.74 Kbytes Page：11 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF630NSRPBF

AdvancedProcessTechnology

文件：340.74 Kbytes Page：11 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
630

9A200VN-channelEnhancementModePowerMOSFET

1Description TheseN-channelEnhancedVDMOSFETs,isobtainedby theself-alignedplanartechnologywhichreducethe conductionloss,improveswitchingperformanceand enhancetheavalancheenergy.Whichaccordswiththe RoHSstandard. 2Features ●FastSwitching ●LowONResistance(Rdso

WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

东海半导体江苏东海半导体科技有限公司

WXDH
630A

Fastswitching

Features ·Fastswitching ·100avalanchetested ·Improveddv/dtcapability Application ·DCMotorControlandClassDAmplifier ·UninterruptiblePowerSupply(UPS) ·Automotive

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC
630

LowFrequencies

文件：141.01 Kbytes Page：2 Pages

OSCILENT

Oscilent Corporation

OSCILENT
630

COMPACTDIGITALTHERMOMETERS&THERMO-HYGROMETERS

文件：87.55 Kbytes Page：1 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc2未分类制造商

etc2
630B

PULSETRANSFORMERS

文件：155.55 Kbytes Page：1 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc2未分类制造商

etc2

IRF630NS产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF630NS

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

IRF630NS供应商更多...

更新时间：2024-5-21 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市杰顺创科技有限公司
IRF630NS
IR
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晶体管-分立半导体产品-原装正品
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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IRF630NS
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