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位置：首页 > IC中文资料第1078页 > IRF630FP

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRF630FP

N-CHANNEL200V-0.35ihm-9A-TO-220/FPMESHOVERLAY]MOSFET

Description ThispowerMOSFETisdesignedusingthecompany’sconsolidatedstriplayout-basedMESHOVERLAY™process.Thistechnologymatchesandimprovestheperformancescomparedwithstandardpartsfromvarioussources. Generalfeatures ■Extremelyhighdv/dtcapability ■Verylowintrinsic

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
IRF630FP

N-channel200V-0.35廓-9ATO-220/TO-220FPMeshoverlay??IIPowerMOSFET

文件：336.19 Kbytes Page：14 Pages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
630

9A200VN-channelEnhancementModePowerMOSFET

1Description TheseN-channelEnhancedVDMOSFETs,isobtainedby theself-alignedplanartechnologywhichreducethe conductionloss,improveswitchingperformanceand enhancetheavalancheenergy.Whichaccordswiththe RoHSstandard. 2Features ●FastSwitching ●LowONResistance(Rdso

WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

东海半导体江苏东海半导体科技有限公司

WXDH
630A

Fastswitching

Features ·Fastswitching ·100avalanchetested ·Improveddv/dtcapability Application ·DCMotorControlandClassDAmplifier ·UninterruptiblePowerSupply(UPS) ·Automotive

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC
630

LowFrequencies

文件：141.01 Kbytes Page：2 Pages

OSCILENT

Oscilent Corporation

OSCILENT
630

COMPACTDIGITALTHERMOMETERS&THERMO-HYGROMETERS

文件：87.55 Kbytes Page：1 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc2未分类制造商

etc2
630B

PULSETRANSFORMERS

文件：155.55 Kbytes Page：1 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc2未分类制造商

etc2

IRF630FP产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF630FP

  • 功能描述

    MOSFET POWER MOSFET

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

IRF630FP供应商更多...

更新时间：2024-5-21 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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