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IRG4RC10	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.39V,@Vge=15V,Ic=5.0A) ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4RC10	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.10V,@Vge=15V,IC=2.0A) Features •Extremelylowvoltagedrop;1.0Vtypicalat2A,100°C •Standard:Optimizedforminimumsaturation voltageandlowoperatingfrequencies(	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4RC10	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.39V,@Vge=15V,Ic=5.0A) Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovideshigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-252AApackage Benefits •Generation4IGBTsofferhig	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4RC10K	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.39V,@Vge=15V,Ic=5.0A) Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovideshigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-252AApackage Benefits •Generation4IGBTsofferhig	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
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更新时间：2024-5-29 20:20:01

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