型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

HorizontalMountToroidalInductors

文件:183.31 Kbytes Page:2 Pages

MURATA-PSMurata Power Solutions Inc.

村田村田制作所

MURATA-PS

3U2-slotFull-Mesh40GAdvancedTCAShelf

文件:252.92 Kbytes Page:2 Pages

AdlinkAdvance Technologies

AdlinkAdvance Technologies

Adlink

3U2-slotFull-Mesh40GAdvancedTCAShelf

文件:249.51 Kbytes Page:2 Pages

AdlinkAdvance Technologies

AdlinkAdvance Technologies

Adlink

Avikrimp??SpadeTongueTerminalfor10-12AWGWire

文件:67.62 Kbytes Page:2 Pages

MOLEX4Molex Electronics Ltd.

莫仕公司MOLEX莫仕公司

MOLEX4

Avikrimp??SpadeTongueTerminalfor12-10AWGWire

文件:67.81 Kbytes Page:3 Pages

MOLEX4Molex Electronics Ltd.

莫仕公司MOLEX莫仕公司

MOLEX4
更新时间:2024-5-26 23:44:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI
23+
仿真器
30000
原装正品公司现货,假一赔十!
TI
21+
仿真器
10000
全新原装现货
TI
21+
仿真器
10000
只做原装,质量保证
NO
3387
DIP-16
459
TI
23+
仿真器
10000
正规渠道,只有原装!
TI/德州仪器
2122+
NA
24550
全新原装正品现货,假一赔十
TI
18+
DIP14
85600
保证进口原装可开17%增值税发票
NULL
2023+
NULL
8700
原装现货
TI
22+
仿真器
6000
鼎欣微只做原装,可开专票价格优势。
Texas Instruments
6000

IR80302芯片相关品牌

  • ABLIC
  • AMD
  • COILCRAFT
  • Good-Ark
  • GREATECS
  • ILLINOISCAPACITOR
  • Infineon
  • KEMET
  • MOLEX9
  • MSYSTEM
  • SSDI
  • WTE

IR80302数据表相关新闻

  • IR3889MTRPBF

    TheIR3889OptiMOSTM系列IPOL是一款易于使用、完全集成的DC-DC降压稳压器。IR3889具有板载PWM控制器和集成自举二极管的OptiMOS™MOSFET是一种小尺寸解决方案,可提供高效的电力传输。此外,它采用快速恒定导通时间(COT)控制方案,简化了设计工作并实现了快速控制

    2023-11-13
  • IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货

    华富芯深圳智能科技有限公司

    2022-2-7
  • IRF1404ZPBF

    深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516网站http://www.kehengweiyedz.cn网站http://www.kehengweiye.com邮箱:yulin522@126.com0755-8320005015817287769柯先生

    2020-4-18
  • IRA-S210ST01

    IRA-S210ST01,全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-2-17
  • IRF130CHP1100,IRF1310N,IRF1310NL,IRF1310NS,IRF1404PBF

    IRF130CHP1100,IRF1310N,IRF1310NL,IRF1310NS,IRF1404PBF

    2020-1-12
  • IR51H224-自激式半桥

    特点·输出功率MOSFET在半桥配置·高侧栅极驱动器引导操作设计·自举二极管集成包(HD型)·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50%的占空比匹配死区的1.2us·内部振荡器具有可编程的频率·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰·微功率启动说明该IR51H(四)XXX是完整的高电压,高转速,selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术,随着的HEXFET®功率MOSFET技术,使

    2013-2-8