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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features •LowVCE(ON)TrenchIGBTTechnology •Lowswitchinglosses •10µSshortcircuitSOA •SquareRBSOA •100ofthepartstestedforILM •PositiveVCE(ON)Temperatureco-efficient •UltrafastsoftRecoveryCo-PakDiode •Tightparameterdistribution •LeadFreePackage Benefit

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features •LowVCE(ON)TrenchIGBTTechnology •LowSwitchingLosses •MaximumJunctionTemperature175°C •10µSshortCircuitSOA •SquareRBSOA •100ofthepartstestedforILM •PositiveVCE(ON)TemperatureCo-Efficient •TightParameterDistribution •LeadFreePackage Benefits

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更新时间:2024-5-27 9:07:01
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