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IR2130JPBF价格

参考价格：￥43.1496

型号：IR2130JPBF 品牌：IR 备注：这里有IR2130JPBF多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IR2130JPBF批发/采购报价，IR2130JPBF行情走势销售排行榜，IR2130JPBF报价。

型号	功能描述	生产厂家&企业
IR2130JPBF	3-PHASEBRIDGEDRIVER 文件：298.48 Kbytes Page：26 Pages	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IR2130JPBF	封装/外壳：44-LCC（J形引线），32 引线包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC 集成电路（IC）栅极驱动器	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
2130	MALE/FEMALETHREADEDSTANDOFFS [KEYSTONE] MALE/FEMALETHREADEDSTANDOFFS PC104MOUNTINGKITS NYLONSTANDOFFS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
2130	HEXMALE/FEMALESTANDOFFS [KEYSTONE] MALE/FEMALETHREADEDSTANDOFFS PC104MOUNTINGKITS NYLONSTANDOFFS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
2130	ExtraDomePlugs 文件：151.58 Kbytes Page：1 Pages	Heyco Heyco
2130A	Fieldbus,8Pr#16StrTC,XLPOIns,IS/OS,TPEJkt,600VTC-ER 文件：262.1 Kbytes Page：3 Pages	BELDEN Belden Inc.
AG2130	LOWCOSTPSTNINTERFACE 文件：322.03 Kbytes Page：11 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商

IR2130JPBF产品属性

类型
描述
型号
IR2130JPBF
功能描述
功率驱动器IC 3 PHASE DRVR INVERTING INPUT
RoHS
否
制造商
Micrel
产品
MOSFET Gate Drivers
类型
Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
电源电压-最大
30 V
电源电压-最小
2.75 V
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装/箱体
SOIC-8
封装
Tube

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更新时间：2024-5-7 19:57:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市柯尔基电子有限公司	IR2130JPBF	IR	23+24	PLCC	29840	主营MOS管,二极.三极管,肖特基二极管.功率三极管	询价

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2023-10-9
IR2118STRPBF
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2023-7-27
IR2136STRPBF公司大量原装正品现货/随时可以发货
瀚佳科技(深圳)有限公司专业为工厂一站式BOM配单服务
2019-4-25
IR2127S原装正品现货
瀚佳科技：专业销售集成电路IC.单片.内存闪存.二三级管模块等电子元器件.欢迎询价购买。
2018-12-28
IR2136-3相桥驱动器...
说明该IR2136/IR21362/IR21363/IR21365/IR21366/IR21367/IR21368公司（J＆S）的高votage，高速功率MOSFET与三个独立的高，低侧IGBT驱动器中引用3相应用程序的输出渠道。专有的HVIC技术使整体建筑加固。逻辑输入与CMOS兼容或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。一个电流脱扣功能，终止所有六个输出可从外部电流检测电阻。使能功能可终止所有六个输出同时进行。一个漏极开路的故障信号，表明提供过流或欠压关断发生。过流故障条件被清除后自动编程，通过一个外部RC网络的延迟连接到RCIN输入。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低
2013-2-9
IR2117-单通道驱动器
IR2117/IR2118（S）是一种高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术，让坚固耐用单片式结构。逻辑输入兼容与标准CMOS输出。输出驱动器的功能专为高脉冲电流缓冲级最低跨导。浮动通道可以可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT在高或低侧配置经营至600伏特。特点•浮动通道引导操作设计完全运作，以600V容限来负瞬态电压的dV/dt的免疫•门极驱动电源电压范围从10至20V•欠压锁定•CMOS施密特触发输
2012-11-13

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