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IR21303C	3-PHASEBRIDGEDRIVER Description TheIR21303Cisahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwiththreeindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICtechnologyenablesruggedizedmonolithicconstruction.LogicinputsarecompatiblewithCMOSorLSTTLoutputs,downto2.5Vl	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
AONS21303C	30VP-ChannelMOSFET GeneralDescription •Latestadvancedtrenchtechnology •LowRDS(ON) •HighCurrentCapability •RoHSandHalogen-FreeCompliant Applications •NotebookAC-inloadswitch •Batteryprotectioncharge/discharge	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
IRS21303	3-PHASEBRIDGEDRIVER TheIRS213(0,03,2)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswiththreeindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICtechnologyenablesruggedizedmonolithicconstruction.LogicinputsarecompatiblewithCMOSorLSTTLoutputs,downto2.5Vlogic.	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRS21303D	3-PHASEBRIDGEDRIVER Description TheIRS213(0,03,2)Darehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswiththreeindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICtechnologyenablesruggedizedmonolithicconstruction.LogicinputsarecompatiblewithCMOSorLSTTLoutputs,downto	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRS21303DJPBF	3-PHASEBRIDGEDRIVER Description TheIRS213(0,03,2)Darehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswiththreeindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICtechnologyenablesruggedizedmonolithicconstruction.LogicinputsarecompatiblewithCMOSorLSTTLoutputs,downto	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司

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更新时间：2024-5-27 23:17:01

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2019-4-25
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2018-12-28
IR2136-3相桥驱动器...
说明该IR2136/IR21362/IR21363/IR21365/IR21366/IR21367/IR21368公司（J＆S）的高votage，高速功率MOSFET与三个独立的高，低侧IGBT驱动器中引用3相应用程序的输出渠道。专有的HVIC技术使整体建筑加固。逻辑输入与CMOS兼容或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。一个电流脱扣功能，终止所有六个输出可从外部电流检测电阻。使能功能可终止所有六个输出同时进行。一个漏极开路的故障信号，表明提供过流或欠压关断发生。过流故障条件被清除后自动编程，通过一个外部RC网络的延迟连接到RCIN输入。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低
2013-2-9
IR2117-单通道驱动器
IR2117/IR2118（S）是一种高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术，让坚固耐用单片式结构。逻辑输入兼容与标准CMOS输出。输出驱动器的功能专为高脉冲电流缓冲级最低跨导。浮动通道可以可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT在高或低侧配置经营至600伏特。特点•浮动通道引导操作设计完全运作，以600V容限来负瞬态电压的dV/dt的免疫•门极驱动电源电压范围从10至20V•欠压锁定•CMOS施密特触发输
2012-11-13

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