IR2106STRPBF价格

参考价格:¥6.5621

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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IR2106STRPBF

HIGHANDLOWSIDEDRIVER

Description TheIR2106(4)(S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSor

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IR2106STRPBF

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 集成电路(IC) 栅极驱动器

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

FIBERTO10BASE-TCOMBO

文件:176.18 Kbytes Page:3 Pages

XFMRS

XFMRS,Inc.

XFMRS

Fieldbus,20Pr#18StrTC,XLPOIns,IS/OS,TPEJkt,CMG

文件:257.23 Kbytes Page:3 Pages

BELDEN

Belden Inc.

BELDEN

HighCurrentToroidInductors

文件:111.85 Kbytes Page:1 Pages

BournsBourns Inc.

伯恩斯(邦士)

Bourns

HighCurrentToroidInductors

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BournsBourns Inc.

伯恩斯(邦士)

Bourns

HighCurrentToroidInductors

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BournsBourns Inc.

伯恩斯(邦士)

Bourns

IR2106STRPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IR2106STRPBF

  • 功能描述

    功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr Soft Trn On Noninvert

  • RoHS

  • 制造商

    Micrel

  • 产品

    MOSFET Gate Drivers

  • 类型

    Low Cost High or Low Side MOSFET Driver

  • 电源电压-最大

    30 V

  • 电源电压-最小

    2.75 V

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-8

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-11 8:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
23+
SOP8
20000
INfineon
21+
SOP8
9870
原装现货,假一罚十
INFINEONTECHNOLOGIES/IR
24+
SOP-8
160359
明嘉莱只做原装正品现货
Infineon(英飞凌)
2023+
SOIC-8N
4550
全新原装正品
IR
20+
SO-8
20000
原装正品现货
INFINEON/英飞凌
19+
SOP-8
300
进口原装假一赔十支持含税
INFINEON/英飞凌
21+
SOP-8
9062
全新、原装
INFINEON
21+
SOIC8
7500
只做原装,公司现货,提供一站式BOM配单服务!
Infineon(英飞凌)
23+
SOP8
37048
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
IR
2020+
SO-8
8000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增

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    2023-4-14
  • IR2104STRPBF

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    2021-8-9
  • IR2104STRPBF 原装代理现货 可追溯原厂含税出

    IR2104STRPBF原装代理现货可追溯原厂含税出

    2020-11-9
  • IR2110

    IR2110,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-8-25
  • IR2111

    IR2111,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-8-21
  • IR2103-半桥驱动器

    说明在IR2103(S)的高电压,高速动力供养高,MOSFET和IGBT驱动器低侧参考输出通道。专有的HVIC免疫和闩锁的CMOS技术使坚固耐用单片建设。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,设计为最小驱动器跨导。浮动通道可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET在高端配置的可在高达600伏或IGBT。特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10至20V•欠压锁定

    2013-2-9