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IR2103PBF价格

参考价格：￥6.6944

型号：IR2103PBF 品牌：International 备注：这里有IR2103PBF多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IR2103PBF批发/采购报价，IR2103PBF行情走势销售排行榜，IR2103PBF报价。

型号	功能描述	生产厂家&企业
IR2103PBF	Half-BridgeDriver 文件：1.10295 Mbytes Page：18 Pages	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IR2103PBF	Half-BridgeDriver 文件：1.10295 Mbytes Page：18 Pages	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IR2103PBF	Half-BridgeDriver 文件：1.10762 Mbytes Page：18 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IR2103PBF	封装/外壳：8-DIP（0.300"，7.62mm）包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP 集成电路（IC）栅极驱动器	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IR2103PBF_15	Half-BridgeDriver 文件：1.10295 Mbytes Page：18 Pages	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
2103	HIGHSPEEDCOMBOMAGNETICMODULESFOR10/100BASE-TXAPPLICATIONS 文件：440.84 Kbytes Page：6 Pages	XFMRS XFMRS，Inc.
2103	PhenolicBoxWithCover 文件：22.61 Kbytes Page：1 Pages	POMONA Pomona Electronics
2103	SYSTEMRESETIC 文件：291.9 Kbytes Page：9 Pages	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社
2103	One-wayflowcontrolvalve 文件：76.1 Kbytes Page：1 Pages	FESTOFesto Corporation. 费斯托公司德国FESTO费斯托（中国）有限公司
2103A	Fieldbus,8Pr#18StrTC,XLPOIns,IS/OS,TPEJkt,CMG 文件：256.88 Kbytes Page：3 Pages	BELDEN Belden Inc.

IR2103PBF产品属性

类型
描述
型号
IR2103PBF
功能描述
功率驱动器IC Half Bridge Driver 520ns
RoHS
否
制造商
Micrel
产品
MOSFET Gate Drivers
类型
Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
电源电压-最大
30 V
电源电压-最小
2.75 V
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装/箱体
SOIC-8
封装
Tube

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更新时间：2024-5-9 22:58:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市华睿芯科技有限公司	IR2103PBF	IR	23+	DIP8	20000	原厂原装正品现货	询价
深圳好佳好科技有限公司	IR2103PBF	IR	1116	DIP8	21168	绝对原装现货	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	IR2103PBF	INFINEON/英飞凌	24+	DIP-8	159996	明嘉莱只做原装正品现货	询价
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2023-4-14
IR1KIT红外线温度计
温度计有一个瞄准激光器，温度范围从-4°F到+752°F
2021-11-6
IR2101STRPBF
SOT-23-5MOSFETGateDriversSMD/SMT门驱动器,SOT-23-5MOSFETGateDriversSMD/SMT门驱动器,MP6528门驱动器,1Output1Driver门驱动器,SMD/SMT门驱动器,TSSOP-20门驱动器
2021-9-10
IR2104STRPBF
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2021-8-9
IR2085S-高速，100V的，自振荡50％的占空比，半桥式驱动器
说明该IR2085S是自激式半桥和50％占空比驱动IC理想适合于36V-75V的半桥式DC总线转换器。本产品还适用于推挽没有根据输入电压的限制转换器。每个通道的频率为fOSC，其中fosc的逆转录可以通过选择和CT组，其中fosc的≈1/（2*RT.CT）。死区时间可控制，通过选择合适的CT范围可以从50到200nsec。内部软启动过程中增加了脉冲宽度电脉冲宽度，并保持在整个上升周期开始的高，低产出的匹配。该IR2085S在启动后，每过电流和电源软启动条件。欠压锁定阻止如果VCC小于7.5Vdc操作。特点•简单的初
2013-2-10
IR2103-半桥驱动器
说明在IR2103（S）的高电压，高速动力供养高，MOSFET和IGBT驱动器低侧参考输出通道。专有的HVIC免疫和闩锁的CMOS技术使坚固耐用单片建设。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计为最小驱动器跨导。浮动通道可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET在高端配置的可在高达600伏或IGBT。特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10至20V•欠压锁定
2013-2-9

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