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CoolMOSPowerTransistor

Features •Lowestfigure-of-meritRONxQg •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •WorldwidebestRDS,oninTO247 •Ultralowgatecharge CoolMOS™900Visdesignedfor: •Quasi

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=36A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance RDS(on)=0.12Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2024-4-28 11:20:01
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