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型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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IPP11N03LA | OptiMOS짰2Power-Transistor 文件:308.4 Kbytes Page:10 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | ||
N-channelTrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode,logiclevel,field-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES •’Trench’technology •Lowon-stateresistance •Fastswitching •Logiclevelcompatible Applications:- •d.c.tod.c.converters •switche | PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦 | |||
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.13Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | |||
OptiMOS짰2Power-Transistor 文件:265.97 Kbytes Page:9 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | |||
OptiMOS짰2Power-Transistor 文件:308.4 Kbytes Page:10 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 |
IPP11N03LA产品属性
- 类型
描述
- 型号
IPP11N03LA
- 功能描述
MOSFET N-KANAL POWER MOS
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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INFINEON |
20+ |
TO-220 |
38900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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INFINEON |
TO220 |
9500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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INFINEON |
22+ |
TO-220 |
15000 |
绝对全新原装现货 |
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INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-220 |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-220-3 |
11111 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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INFINEON |
2016+ |
TO220 |
5562 |
只做进口原装现货!或订货!假一赔十! |
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INFINEON |
23+ |
TO-220 |
15000 |
专做原装正品,假一罚百! |
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INFINEON |
22+23+ |
TO220 |
38151 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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INFINEON |
24+ |
TO-220 |
8866 |
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INFINEON |
2023+ |
TO220 |
80000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
IPP11N03LA规格书下载地址
IPP11N03LA参数引脚图相关
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2013-2-19
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