位置：首页 > IC中文资料第9691页 > IPD80N06S3-09
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IPD80N06S3-09 | OptiMOS-TPower-Transistor 文件：188.29 Kbytes Page：9 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   |
IPD80N06S3-09产品属性
- 类型
描述
- 型号
IPD80N06S3-09
- 功能描述
MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 80A 8.4mOhms
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2024-6-6 9:08:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
23+ |
N/A |
589610 |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
|||
I |
23+ |
TO-252 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
|||
Infineon(英飞凌) |
2021/2022+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
|||
Infineon(英飞凌) |
22+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
|||
INENOI |
21+ |
SOT252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
IR |
23+ |
TO-252 |
12300 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
VB |
2019 |
TO-252 |
55000 |
绝对原装正品假一罚十! |
|||
VB |
21+ |
TO-252 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
Infineon(英飞凌) |
22+ |
NA |
7000 |
原厂原装现货 |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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