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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IPC26N12N | MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor 文件：1.93027 Mbytes Page：4 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   |
OptiMOSTM3PowerMOSTransistorChip DESCRIPTION •N-channelenhancementmode •ForadditionalcharacteristicandmaxratingsrefertothedatasheetofIPP048N12N3G1) •AQL0.65forvisualinspectionaccordingtofailurecatalogue •ElectrostaticDischargeSensitiveDeviceaccordingtoMIL-STD883C •Diebond:solderedorglue | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor 文件：1.93027 Mbytes Page：4 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
IPC26N12N产品属性
- 类型
描述
- 型号
IPC26N12N
- 制造商
Infineon Technologies AG
- 功能描述
MV POWER MOS - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon |
23+ |
NA |
15500 |
英飞凌优势渠道全系列在售 |
|||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
- |
12700 |
买原装认准中赛美 |
|||
Infineon |
1931+ |
N/A |
493 |
加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物 |
|||
Infineon |
22+ |
NA |
493 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
|||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
- |
7188 |
秉承只做原装 终端我们可以提供技术支持 |
|||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
- |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
|||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
- |
25630 |
原装正品 |
|||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
- |
6000 |
原装现货正品 |
|||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
- |
6820 |
只做原装,质量保证 |
|||
INFINEON-英飞凌 |
24+25+/26+27+ |
SOD-882 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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