位置：首页 > IC中文资料第3607页 > IPB025N10N3GE818XT
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
INFINEON |  |   | ||
INFINEON |  | | ||
INFINEON |  | |
IPB025N10N3GE818XT产品属性
- 类型
描述
- 型号
IPB025N10N3GE818XT
- 功能描述
MOSFET OptiMOS 3 Power Transistor
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2024-5-14 23:47:02
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TO263-3 |
8800 |
公司只作原装正品 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO263 |
58000 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
|||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-263-7L |
45000 |
原装现货假一赔十 |
|||
23+ |
N/A |
46380 |
正品授权货源可靠 |
||||
INFINEON |
2023+ |
TO-263 |
80000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
|||
INFINEON |
21+ |
TO-263 |
35200 |
一级代理/放心采购 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
21+ |
TO-263 |
6688 |
十年老店,原装正品 |
|||
INFINEON |
21+ |
TO-263 |
1496 |
只做原装,绝对现货,原厂代理商渠道,欢迎电话微信查 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO263-7 |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
|||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-TO263-3 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
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IPB025N10N3GE818XT规格书下载地址
IPB025N10N3GE818XT参数引脚图相关
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- irf540
- ir2110
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只做原装支持实单价格优势有单必成
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2022-4-27IPB042N10N3G
IPB042N10N3G，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
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