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位置：首页 > IC中文资料 > IPA60R230P6(SP001017078)-H

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IPA60R230P6

MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor

Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies. Features •IncreasedMOSFETdv/dtruggedness •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson^QgandEoss •Veryhi

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
IPA60R230P6

IscN-ChannelMOSFETTransistor

•FEATURES •WithTO-220Fpackage •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •Reducedswitchingandconductionlosses •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplica

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IPA60R230P6

MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
IIPP60R230P6

N-ChannelMOSFETTransistor

•DESCRIPTION •ProvideallbenefitsofafastswitchingsuperjunctionMOSwhilenot sacrificingeaseofuse •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.23Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustde

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IIPW60R230P6

N-ChannelMOSFETTransistor

•DESCRITION •Fastswitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤230mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

IPA60R230P6(SP001017078)-H供应商更多...

更新时间：2024-6-3 18:57:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市柏芯特电子科技有限公司
IPA60R230P6
Infineon
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Infineon/英飞凌
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TO-220FP-3
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