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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IMW120R007M1H

CoolSiC??1200 V SiC Trench MOSFET : silicon carbide MOSFET

Features •VDSS=1200VatTvj=25°C •IDCC=225AatTvj=25°C •RDS(on)=7mΩatVGS=18V,Tvj=25°C •Verylowswitchinglosses •Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.2V •Robustagainstparasiticturnon,0Vturn-offgatevoltagecanbeapplied •Robustbodydiodefor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
IMW120R014M1H

CoolSiC??1200 V SiC Trench MOSFET : silicon carbide MOSFET

Features •VDSS=1200VatTvj=25°C •IDCC=127AatTvj=25°C •RDS(on)=14mΩatVGS=18V,Tvj=25°C •Verylowswitchinglosses •Shortcircuitwithstandtime3μs •Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.2V •Robustagainstparasiticturnon,0Vturn-offgatevoltagec

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
IMW120R020M1H

CoolSiC??1200 V SiC Trench MOSFET : silicon carbide MOSFET

Features •VDSS=1200VatTvj=25°C •IDCC=98AatTvj=25°C •RDS(on)=19mΩatVGS=18V,Tvj=25°C •Verylowswitchinglosses •Shortcircuitwithstandtime3μs •Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.2V •Robustagainstparasiticturnon,0Vturn-offgatevoltageca

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
IMW120R020M1H

SiC N-Channel MOSFET

FEATURES ·HighBlockingVoltagewithLowOn-Resistance ·RDS(on)=19mΩ（TYP.）@VGS=18VTj=25℃ ·Verylowswitchinglosses APPLICATIONS ·Solarpoweroptimizer ·OnlineUPS/IndustrialUP ·DC-DCConverters ·Stringinverters

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IMW120R040M1H

CoolSiC??1200 V SiC Trench MOSFET : silicon carbide MOSFET

Features •VDSS=1200VatTvj=25°C •IDCC=55AatTvj=25°C •RDS(on)=39mΩatVGS=18V,Tvj=25°C •Verylowswitchinglosses •Shortcircuitwithstandtime3µs •Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.2V •Robustagainstparasiticturnon,0Vturn-offgatevoltageca

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
IMW120R090M1H

SiC N-Channel MOSFET

FEATURES ·Verylowswitchinglosses ·Widegate-sourcevoltagerange ·Efficiencyimprovement APPLICATIONS ·SolarInverters ·IndustrialUPS ·IndustrialSMPS ·Charger

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IMW120R030M1H

CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET

文件：1.18024 Mbytes Page：17 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
IMW120R045M1

CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET

文件：1.38579 Mbytes Page：17 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
IMW120R045M1XKSA1

CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET

文件：1.38579 Mbytes Page：17 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
IMW120R060M1H

CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET

文件：1.1785 Mbytes Page：17 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
IMW120R090M1H

CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET

文件：1.1791 Mbytes Page：17 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
IMW120R140M1H

CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET

文件：1.17818 Mbytes Page：17 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
IMW120R220M1H

CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET

文件：1.17912 Mbytes Page：17 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
IMW120R350M1H

CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET

文件：1.27261 Mbytes Page：17 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

IMW1供应商更多...

更新时间：2024-9-21 9:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市中联芯电子有限公司
IMW120R014M1HXKSA1
Infineon
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IMW120R030M1H
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深圳宝隆芯业科技有限公司
IMW120R030M1H
Infineon/英飞凌
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IMW120R030M1H
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IMW120R020M1HXKSA1
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IMW120R030M1H
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深圳市九方航科技有限公司
IMW120R030M1H
Infineon/英飞凌
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    原装代理

    2022-10-28

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    原装正品现货供应0755-28892389/13713856319；QQ:2639752116；微信：13713856319；

    2021-4-26

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    IMX290LQR-CIMX290LQRLGA110索尼摄像头芯片CMOS图像传感器

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    瀚佳科技(深圳)有限公司专业为工厂一站式BOM配单服务

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    2012-12-1

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