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IKW75N65RH5XKSA1	CoolSiC™HybridDiscrete-TRENCHSTOP™5H5IGBTco-packedwithhalf-rated6thgenerationCoolSiC™diode Features •VCE=650V •IC=75A •Ultra-lowswitchinglossesduetothecombinationofTRENCHSTOPTM5andCoolSiCTM technology •Benchmarkefficiencyinhardswitchingtopologies •Plug-and-playreplacementofpuresilicondevices •MaximumjunctiontemperatureTvjmax=175°C •Qualifie	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IKW75N65RH5XKSA1	封装/外壳：TO-247-3 包装：管件描述：INDUSTRY 14 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司

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更新时间：2024-5-8 20:53:00

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IKW75N65EH5
IKW75N65EH5
2023-12-6
IKW75N65EL5
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2020-2-14
IL217AT原盘进口环保
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2018-12-28
IL33153-单IGBT的栅极驱动器
单IGBT的栅极驱动器该IL33153是专门设计为高功率应用，包括ACIGBT驱动器感应电机控制，直流无刷电机控制和不间断电源。虽然离散和模块驱动IGBT的设计，这种装置可为驱动成本效益的解决方案功率MOSFET和双极型晶体管。保护功能包括设备选择饱和或过流检测和欠压检测。这些器件可在dualinline和表面贴装封装，并包括以下特点：特征•高电流输出级：1.0一个Source/2.0水槽对于传统和意识的IGBT保护电路••可编程故障消隐时间•过电流保护和
2013-3-2