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IKW30N60H3价格
参考价格：￥13.7061
型号：IKW30N60H3 品牌：Infineon 备注：这里有IKW30N60H3多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IKW30N60H3批发/采购报价，IKW30N60H3行情走势销售排行榜，IKW30N60H3报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IKW30N60H3 | HighspeedDuopack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnology Features: TRENCHSTOP™technologyoffering •verylowVCEsat •lowEMI •Verysoft,fastrecoveryanti-paralleldiode •maximumjunctiontemperature175°C •qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •completeproductspectrumandPSpiceMod | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   |
IKW30N60H3 | IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-paralleldiode 文件：2.19193 Mbytes Page：16 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-paralleldiode 文件：2.19193 Mbytes Page：16 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 60A 187W TO247-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
BIDNW30N60H3InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT) GeneralInformation TheBourns®ModelBIDNW30N60H3IGBTdevicecombinestechnologyfromaMOS gateandabipolartransistorforanoptimumcomponentforhighvoltageandhighcurrent applications.ThisdeviceusesTrench-GateField-Stoptechnologyprovidinggreater controlofdynamiccharacter | BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士） |  | | |
Highspeedswitchingseriesthirdgeneration TRENCHSTOPtechnologyoffering •verylowturn-offenergy •lowVCEsat •lowEMI •maximumjunctiontemperature175°C •qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications •Pb-freeleadplating,halogen-freemouldcompound,RoHScompliant | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
Highspeedswitchingseriesthirdgeneration 文件：1.62111 Mbytes Page：15 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
600Vhighspeedswitchingseriesthirdgeneration 文件：1.63937 Mbytes Page：14 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
600Vhighspeedswitchingseriesthirdgeneration 文件：1.45972 Mbytes Page：14 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
IKW30N60H3产品属性
- 类型
描述
- 型号
IKW30N60H3
- 功能描述
IGBT 晶体管 600V 30A 187W
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 |
21+ |
TO-247 |
8800 |
公司只作原装正品 |
|||
INFINEO |
2020+ |
TO-247 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
TO-247 |
11556 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
9531 |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
TO-247-3 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
INFINEON |
23+ |
TO-247 |
918000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
INFINEON |
23+ |
TO-247 |
20000 |
原厂原装正品现货 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-247 |
76000 |
IR英飞凌VISHAY专做 全新原装进口正品假一赔百,可开13 |
|||
OTHER/其它 |
23+ |
NA |
7825 |
原装正品!清仓处理! |
|||
INFINEON/英飞凌 |
2102+ |
TO247 |
6854 |
只做原厂原装正品假一赔十! |
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https://hfx03.114ic.com/
2022-2-19IKW30N60T
IKW30N60T，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-10-26IKW15N120H3
IKW15N120H3?，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-4-22
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