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10Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheUTC10N60isahighvoltageandhighcurrentpowerMOSFET,designedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchinga

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

10A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET

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WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

东海半导体江苏东海半导体科技有限公司

WXDH

10Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET

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UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
更新时间:2024-6-7 18:43:01
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    类别:分离式半导体产品家庭:IGBT-单路系列:TrenchStop?IGBT类型:沟道电压-集电极发射极击穿(最大):600VVge,Ic时的最大Vce(开):2.1V@15V,6A电流-集电极(Ic)(最大):12A功率-最大:100W输入类型:标准型安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63供应商设备封装:PG-TO

    2021-10-16
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    IKW15N120H3?,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-4-22
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    马达/运动/点火控制器和驱动器SNGLIN-LINEINTELLIGNTPWRMODUL

    2019-9-25