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IKD03N60RF价格
参考价格：￥4.2077
型号：IKD03N60RF 品牌：Infineon 备注：这里有IKD03N60RF多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IKD03N60RF批发/采购报价，IKD03N60RF行情走势销售排行榜，IKD03N60RF报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IKD03N60RF | TRENCHSTOPTMRC-Seriesforhardswitchingapplicationsupto30kHz 文件：1.71473 Mbytes Page：16 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   |
IKD03N60RF | RC-DriveandRC-DriveFast 文件：368.29 Kbytes Page：2 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
IKD03N60RF | ?쏳C-DFast??RC-DrivesIGBToptimizedforhighswitchingfrequency 文件：886.12 Kbytes Page：16 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
IKD03N60RF | IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage 文件：1.92227 Mbytes Page：16 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
IKD03N60RF | 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：卷带（TR） 描述：IGBT 600V 5A 53.6W TO252-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage 文件：1.92227 Mbytes Page：16 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
TRENCHSTOPTMRC-Seriesforhardswitchingapplicationsupto30kHz 文件：1.71473 Mbytes Page：16 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
OptimizedEon,EoffandQrrforlowswitchinglosses 文件：1.74998 Mbytes Page：16 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
N-Channel650V(D-S)MOSFET 文件：2.52205 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | | |
IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage 文件：1.72801 Mbytes Page：16 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
PowerMOSFET 文件：193.74 Kbytes Page：3 Pages | JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd |  | | |
N-CHANNELSILICONPOWERMOSFETFeatures 文件：580.87 Kbytes Page：5 Pages | FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ |  | |
IKD03N60RF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IKD03N60RF
- 功能描述
IGBT 晶体管 TRENCH RC Drives Fast 600V 2.5A
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TO252-3 |
6000 |
原装现货正品 |
|||
Infineon |
2023 |
5000 |
公司原装现货/支持实单 |
||||
Infineon/英飞凌 |
2022+ |
PG-TO252-3 |
48000 |
只做原装,绝对原装,假一罚十 |
|||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-TO252-3 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
|||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TO252-3 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
N/A |
589610 |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
|||
英飞凌 |
新批次 |
N/A |
1500 |
||||
INFINEON-英飞凌 |
24+25+/26+27+ |
TO-252-3 |
9328 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
Infineon |
20+ |
TO-252 |
90000 |
全新原装正品/库存充足 |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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2022-2-19IKD06N60RF
类别：分离式半导体产品家庭：IGBT-单路系列：TrenchStop?IGBT类型：沟道电压-集电极发射极击穿（最大）：600VVge，Ic时的最大Vce（开）：2.1V@15V，6A电流-集电极(Ic)（最大）：12A功率-最大：100W输入类型：标准型安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商设备封装：PG-TO
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2019-9-25
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