IHW40N60R价格

参考价格:¥14.2619

型号:IHW40N60R 品牌:INFINEON 备注:这里有IHW40N60R多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IHW40N60R批发/采购报价,IHW40N60R行情走势销售排行榜,IHW40N60R报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IHW40N60R

ReverseconductingIGBT

文件:2.06634 Mbytes Page:15 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

Powerfulmonolithicbodydiodewithlowforwardvoltagedesignedforsoftcommutationonly

文件:2.03555 Mbytes Page:15 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

powerfulmonolithicbodydiodewithlowforwardvoltage

文件:794.56 Kbytes Page:12 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

Powerfulmonolithicbodydiodewithlowforwardvoltagedesignedforsoftcommutationonly

文件:2.03555 Mbytes Page:15 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

封装/外壳:TO-247-3 包装:卷带(TR) 描述:IGBT 600V 80A 305W TO247-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

封装/外壳:TO-247-3 包装:卷带(TR) 描述:IGBT 600V 80A 305W TO247-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

LowVCE(sat)IGBT,HighSpeedIGBT

ShortCircuitSOACapability. 40N60,40N60A

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

iscN-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION ·DrainCurrent:ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·highvoltage,highspeedpowerswitching

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

IGBT

文件:247.74 Kbytes Page:9 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

SuperJunctionFREDFET

文件:191.93 Kbytes Page:5 Pages

ADPOW

Advanced Power Technology

ADPOW

SuperJunctionFREDFET

文件:317.04 Kbytes Page:5 Pages

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi

IHW40N60R产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IHW40N60R

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-4-27 11:26:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
23+
PG-TO247-3
25000
原装正品,假一赔十!
Infineon Technologies
21+
TO2473
13880
公司只售原装,支持实单
Infineon/英飞凌
2023+
PG-TO247-3
6000
全新原装深圳仓库现货有单必成
INFINEON
20+
TO-247
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
infineon/英飞凌
2021/2022+
NA
7000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
Infineon/英飞凌
21+
PG-TO247-3
10000
原装,品质保证,请来电咨询
INFINEON
2022+
TO-247
4000
原装原厂代理 可免费送样品
INFINEO
2020+
TO-247
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
INFINEON/英飞凌
21+ROHS
TO-247
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
INFINEON/英飞凌
23+
TO-247
5000
只做原装只有原装假一罚百可开增值税票

IHW40N60R芯片相关品牌

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    制造商零件编号IHW30N160R2FKSA1 ManufacturerOrOEMInfineonTechnologies 描述IGBT1600V60A312WTO247-3 说明IGBTNPT,沟槽型场截止1600V60A312W通孔PG-TO247-3 对无铅/(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 湿气敏感性等级(MSL)1(无限) 最低订购数量240 标准包装

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