IHW20N120R价格

参考价格:¥11.8607

型号:IHW20N120R3 品牌:INFINEON 备注:这里有IHW20N120R多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IHW20N120R批发/采购报价,IHW20N120R行情走势销售排行榜,IHW20N120R报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IHW20N120R

ReverseConductingIGBTwithmonolithicbodydiode

Features: •PowerfulmonolithicBodyDiodewithverylowforwardvoltage •Bodydiodeclampsnegativevoltages •TrenchandFieldstoptechnologyfor1200Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior •NPTtechnologyoffers

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
IHW20N120R

HighSpeed2-Technology

•Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection •2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa

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HighSpeed2-Technology

•Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection •2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa

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Infineon

ReverseConductingIGBTwithmonolithicbodydiode

ReverseConductingIGBTwithmonolithicbodydiode Features: •PowerfulmonolithicBodyDiodewithverylowforwardvoltage •Bodydiodeclampsnegativevoltages •TrenchandFieldstoptechnologyfor1200Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,te

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ReverseconductingIGBTwithmonolithicbodydiode

1.Powerfulmonolithicbodydiodewithlowforwardvoltagedesignedforsoftcommutationonly 2.LowEMI 3.QualifiedaccordingtoJESD-022fortargetapplications 4.Pb-freeleadplating;RoHScompliant

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ReverseconductingIGBTwithmonolithicbodydiode

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Infineon

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 1200V 40A 310W TO247-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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ReverseConductingIGBTwithmonolithicbodydiode

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Infineon

封装/外壳:TO-247-3 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:IGBT 1200V 40A TO247-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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Infineon

63A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode

63A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode TheHGTG20N120CNDisaNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.Thisdevicehas

IntersilIntersil Corporation

瑞萨电子瑞萨电子株式会社

Intersil

Generalpurposeinverters

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JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

JSMC

Insulated-GateBipolarTransistorinaTO-3PPlasticPackage

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FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN

1200V,20ATrenchIGBT

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

1200V,20ATrenchIGBT

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

IHW20N120R产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IHW20N120R

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 20A

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-11 14:08:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
2018+
TO-247
117
全新原装正品现货
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22+
TO-247
13800
原装正品,品质保证,值得你信赖
英飞凌
23+
TO-247
17138
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
INFINEON
23+
NA
20000
全新原装假一赔十
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1811+
TO-247
19
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
DIODES
2021++
DIP-4
10000
原装正品价格优势!欢迎询价QQ:385913858TEL:15
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23+
TO-3P
18500
授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特价销售
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21+
TO-247
30000
优势供应 实单必成 可开增值税13点
INFINEON/英飞凌
22+
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9800
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!
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2339+
TO-3P
32280
原装现货 假一罚十!十年信誉只做原装!

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    制造商零件编号IHW30N160R2FKSA1 ManufacturerOrOEMInfineonTechnologies 描述IGBT1600V60A312WTO247-3 说明IGBTNPT,沟槽型场截止1600V60A312W通孔PG-TO247-3 对无铅/(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 湿气敏感性等级(MSL)1(无限) 最低订购数量240 标准包装

    2020-12-14
  • IHM2PM220K

    ReelSMD/SMT固定电感器,3.2mmx2.5mmx2.2mm固定电感器,10uH5050AEC-Q200固定电感器,4.7nH固定电感器,0805(2012metric)固定电感器,560nH固定电感器

    2020-11-4
  • IHLP3232DZER2R2M01

    深圳科雨电子有限公司,联系人:卢小姐手机:18975515225 原装正品大量现货,有需要的可以联系我QQ:97877805微信:wei555222777

    2019-5-29