型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IHD10N60RA

ReverseconductingIGBTwithmonolithicbodydiode

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
IHD10N60RA

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 包装:管件 描述:IGBT 600V 20A 110W TO252-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

10Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheUTC10N60isahighvoltageandhighcurrentpowerMOSFET,designedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchinga

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

10A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET

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WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

东海半导体江苏东海半导体科技有限公司

WXDH

10Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET

文件:330.13 Kbytes Page:8 Pages

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

IHD10N60RA产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IHD10N60RA

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 Soft SW-Rev Conduct IGBT Monolithic Body

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-15 17:51:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon Technologies
21+
TO2523
13880
公司只售原装,支持实单
INFINEON/英飞凌
19+
TO-252
4800
可含税只做原装假一罚百
INFINEON/英飞凌
19+
TO-252
4800
原装现货支持BOM配单服务
INFINEON
2023+
DPAK(TO-
80000
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品
INFINEON/英飞凌
21+
TO-252
5590
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!
INFINEON/英飞凌
22+
DPAK(TO-252)
90635
INFINEON/英飞凌
22+
TO-252
10000
绝对原装现货热卖
INFINEON
23+
TO-252
16643
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
INFINEON-英飞凌
24+25+/26+27+
TO-252-3
78800
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
Infineon/英飞凌
22+
DPAK(TO-
12800
本公司只做进口原装!优势低价出售!

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