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IGP10N60T价格
参考价格：￥4.5114
型号：IGP10N60T 品牌：Infineon 备注：这里有IGP10N60T多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IGP10N60T批发/采购报价，IGP10N60T行情走势销售排行榜，IGP10N60T报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IGP10N60T | LowLossIGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology Features: •VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) •MaximumJunctionTemperature175°C •Shortcircuitwithstandtime5μs •Designedfor: -VariableSpeedDriveforwashingmachinesandairconditioners -inductioncooking -UninterruptedPowerSupply •TRENCHSTOP™andFieldstoptechn | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   |
IGP10N60T | LowLossIGBT:IGBTinTRENCHSTOP??andFieldstoptechnology Features: VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) MaximumJunctionTemperature175°C Shortcircuitwithstandtime5s Designedfor: -VariableSpeedDriveforwashingmachinesandairconditioners -inductioncooking -UninterruptedPowerSupply TRENCHSTOP™andFieldstoptechnologyfor60 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
IGP10N60T | LowLossIGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology 文件：357.73 Kbytes Page：12 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
LowLossIGBT:IGBTinTRENCHSTOP??andFieldstoptechnology Features: VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) MaximumJunctionTemperature175°C Shortcircuitwithstandtime5s Designedfor: -VariableSpeedDriveforwashingmachinesandairconditioners -inductioncooking -UninterruptedPowerSupply TRENCHSTOP™andFieldstoptechnologyfor60 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
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封装/外壳：TO-220-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 20A TO220-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
10Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC10N60isahighvoltageandhighcurrentpowerMOSFET,designedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchinga | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 |  | | |
10Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET 文件：330.13 Kbytes Page：8 Pages | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | | | |
N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET 文件：2.17857 Mbytes Page：10 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | | |
N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET 文件：2.33382 Mbytes Page：11 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | | |
10A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET 文件：976.2 Kbytes Page：11 Pages | WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司 |  | |
IGP10N60T产品属性
- 类型
描述
- 型号
IGP10N60T
- 功能描述
IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 10A
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
23+24 |
TO-220 |
49820 |
主营全系列二三极管、MOS场效应管、 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-220 |
8000 |
只做原装只有原装假一罚百可开增值税票 |
|||
INFINEON |
23+ |
PG-TO220-3-1 |
8600 |
全新原装现货 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-220 |
13800 |
原装正品,品质保证,值得你信赖 |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
N/A |
589610 |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
|||
Infineon/英飞凌 |
2339+ |
PG-TO220-3 |
32280 |
原装现货 假一罚十！十年信誉只做原装！ |
|||
Infineon |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
|||
INFINEON |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
Infineon |
2023 |
6200 |
公司原装现货/支持实单 |
||||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-TO220-3 |
18000 |
原装正品实单可谈 库存现货 |
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IGBT模块代理分销。主要品牌有：，富士，英飞凌
2019-11-19
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