型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IDT71V35761S166BQI

128Kx36,256Kx183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect

Description TheIDT71V35761/781arehigh-speedSRAMsorganizedas128Kx36/256Kx18.TheIDT71V35761/781SRAMscontainwrite,data,addressandcontrolregisters.InternallogicallowstheSRAMtogenerateaself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendofthewritec

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
IDT71V35761S166BQI

封装/外壳:165-TBGA 包装:托盘 描述:IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA 集成电路(IC) 存储器

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

封装/外壳:165-TBGA 包装:托盘 描述:IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA 集成电路(IC) 存储器

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

128Kx36,256Kx183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect

Description TheIDT71V35761/781arehigh-speedSRAMsorganizedas128Kx36/256Kx18.TheIDT71V35761/781SRAMscontainwrite,data,addressandcontrolregisters.InternallogicallowstheSRAMtogenerateaself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendofthewritec

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT

3.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect

文件:972.44 Kbytes Page:21 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT

3.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect

文件:972.44 Kbytes Page:21 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT

128Kx363.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect

Features ◆128Kx36memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: Commercial: –200MHz3.1nsclockaccesstime CommercialandIndustrial: –183MHz3.3nsclockaccesstime –166MHz3.5nsclockaccesstime ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆3.3Vcorepowersupply

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

128Kx363.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect

Features ◆128Kx36memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: Commercial: –200MHz3.1nsclockaccesstime CommercialandIndustrial: –183MHz3.3nsclockaccesstime –166MHz3.5nsclockaccesstime ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆3.3Vcorepowersupply

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

IDT71V35761S166BQI产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IDT71V35761S166BQI

  • 功能描述

    IC SRAM 4MBIT 166MHZ 165FBGA

  • RoHS

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 标准包装

    576

  • 系列

    - 格式 -

  • 存储器

    闪存

  • 存储器类型

    闪存 - NAND

  • 存储容量

    512M(64M x 8)

  • 速度

    -

  • 接口

    并联

  • 电源电压

    2.7 V ~ 3.6 V

  • 工作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳

    48-TFSOP(0.724,18.40mm 宽)

  • 供应商设备封装

    48-TSOP

  • 包装

    托盘

  • 其它名称

    497-5040

更新时间:2024-6-15 19:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IDT
23+
TQFP
20000
原厂原装正品现货
IDT
1948+
QFP
6852
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
23+
原厂封装
9888
专做原装正品,假一罚百!
IDT
23+
165-CABGA(13x15)
39257
专业分销产品!原装正品!价格优势!
IDT
04+
LQFP128
56
IDT
23+
QFP
980
全新原装,真实库存
IDT
23+
100TQFP
9526
IDT
22+
165CABGA (13x15)
9000
原厂渠道,现货配单
IDT
2020+
TQFP
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
IDT
23+
165-FBGA
4304
原装现货

IDT71V35761S166BQI芯片相关品牌

  • BANNER
  • CHEMI-CON
  • CTMICRO
  • JUXING
  • LINER
  • MCC
  • Microchip
  • MINMAX
  • NEL
  • ROHM
  • SANYO
  • SEOUL

IDT71V35761S166BQI数据表相关新闻