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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IDT71256L25Y | CMOSSTATICRAM256K(32Kx8-BIT) DESCRIPTION: TheIDT71256isa262,144-bithigh-speedstaticRAMorganizedas32Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES: •High-speedaddress/chipselecttime —Military:25/30/35/45/55/70/85/100/120/150ns(max.) | IDT Integrated Device Technology, Inc. |  |   |
IDT71256L25Y | 封装/外壳：28-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） 包装：卷带（TR） 描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ 集成电路（IC） 存储器 | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  | |
CMOSSTATICRAM256K(32Kx8-BIT) DESCRIPTION: TheIDT71256isa262,144-bithigh-speedstaticRAMorganizedas32Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES: •High-speedaddress/chipselecttime —Military:25/30/35/45/55/70/85/100/120/150ns(max.) | IDT Integrated Device Technology, Inc. | | | |
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CMOSSTATICRAM256K(32Kx8-BIT) DESCRIPTION: TheIDT71256isa262,144-bithigh-speedstaticRAMorganizedas32Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES: •High-speedaddress/chipselecttime —Military:25/30/35/45/55/70/85/100/120/150ns(max.) | IDT Integrated Device Technology, Inc. | | | |
CMOSSTATICRAM256K(32Kx8-BIT) DESCRIPTION: TheIDT71256isa262,144-bithigh-speedstaticRAMorganizedas32Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES: •High-speedaddress/chipselecttime —Military:25/30/35/45/55/70/85/100/120/150ns(max.) | IDT Integrated Device Technology, Inc. | | | |
CMOSSTATICRAM256K(32Kx8-BIT) DESCRIPTION: TheIDT71256isa262,144-bithigh-speedstaticRAMorganizedas32Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES: •High-speedaddress/chipselecttime —Military:25/30/35/45/55/70/85/100/120/150ns(max.) | IDT Integrated Device Technology, Inc. | | | |
CMOSStaticRAM256K(32Kx8-Bit) 文件：108.14 Kbytes Page：10 Pages | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商 |  | |
IDT71256L25Y产品属性
- 类型
描述
- 型号
IDT71256L25Y
- 功能描述
IC SRAM 256KBIT 25NS 28SOJ
- RoHS
否
- 类别
集成电路(IC) >> 存储器
- 系列
-
- 产品变化通告
Product Discontinuation 26/Apr/2010
- 标准包装
136
- 系列
- 格式 -
- 存储器
RAM
- 存储器类型
SRAM - 同步，DDR II
- 存储容量
18M（1M x 18）
- 速度
200MHz
- 接口
并联
- 电源电压
1.7 V ~ 1.9 V
- 工作温度
0°C ~ 70°C
- 封装/外壳
165-TBGA
- 供应商设备封装
165-CABGA（13x15）
- 包装
托盘
- 其它名称
71P71804S200BQ
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IDT |
2020+ |
SOJ28 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
IDT |
22+ |
28-SOJ |
10000 |
原装正品优势现货供应 |
|||
IDT |
2021+ |
4230 |
只做原装假一罚十 |
||||
IDT |
22+ |
28SOJ |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
IDT |
23+ |
SOJ-28 |
3200 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
|||
IDT |
23+ |
28-SOJ |
7750 |
全新原装优势 |
|||
Renesas Electronics Corporatio |
23+/24+ |
28-BSO |
8600 |
只供原装进口公司现货+可订货 |
|||
IDT |
23+ |
28300MILSOJ |
9526 |
||||
IDT |
23+ |
28-SOJ |
9550 |
专业分销产品!原装正品!价格优势! |
|||
IDT |
4 |
公司优势库存 热卖中!! |
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2019-11-21
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