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位置：首页 > IC中文资料第1580页 > IDT71016S12YG

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IDT71016S12YG

CMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit)

Description TheIDT71016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
IDT71016S12YGI

CMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit)

Description TheIDT71016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
IDT71016S12YGI

封装/外壳：44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 包装：托盘 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ 集成电路（IC） 存储器

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
IDT71016S12YGI8

封装/外壳：44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 包装：托盘 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ 集成电路（IC） 存储器

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
IDT71016S12PH

CMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit)

Description TheIDT71016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
IDT71016S12PHG

CMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit)

Description TheIDT71016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
71016S12PHG

CMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit)

Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:12/15/20ns –Industrial:15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆BidirectionaldatainputsandoutputsdirectlyTTLcompatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdeselect ◆Upp

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
71016S12YG

CMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit)

Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:12/15/20ns –Industrial:15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆BidirectionaldatainputsandoutputsdirectlyTTLcompatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdeselect ◆Upp

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
71016S12PHG

PLEASECHECKWWW.MOLEX.COMFORLATESTPARTINFORMATION

文件：41.94 Kbytes Page：1 Pages

MolexMolex Incorporated

莫仕美国莫仕公司

Molex

IDT71016S12YG产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IDT71016S12YG

  • 功能描述

    IC SRAM 1MBIT 12NS 44SOJ

  • RoHS

    是

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1

  • 系列

    - 格式 -

  • 存储器

    闪存

  • 存储器类型

    闪存 - NAND

  • 存储容量

    4G（256M x 16）

  • 速度

    -

  • 接口

    并联

  • 电源电压

    2.7 V ~ 3.6 V

  • 工作温度

    0°C ~ 70°C

  • 封装/外壳

    48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）

  • 供应商设备封装

    48-TSOP I

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 其它名称

    557-1461-6

IDT71016S12YG供应商更多...

更新时间：2024-5-14 14:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市科恒伟业电子有限公司
IDT71016S12YI
IDT
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IDT71016S12YG
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深圳市兴灿科技有限公司
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IDT
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深圳市博浩通科技有限公司
IDT71016S12YG8
IDT
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IDT71016S12YG8
IDT
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司
IDT71016S12YI
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SOJ-44
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