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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:12ns(max.) ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansionwithout externallogic ◆IDT70V659/58/57easilyexpandsdatabuswi | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  |   | |
HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM 文件：234.54 Kbytes Page：24 Pages | IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司 |  | |
IDT70V657S10BFG8产品属性
- 类型
描述
- 型号
IDT70V657S10BFG8
- 功能描述
IC SRAM 1.125MBIT 10NS 208FBGA
- RoHS
是
- 类别
集成电路(IC) >> 存储器
- 系列
-
- 标准包装
3,000
- 系列
- 格式 -
- 存储器
EEPROMs - 串行
- 存储器类型
EEPROM
- 存储容量
8K(1K x 8)
- 速度
400kHz
- 接口
I²C，2 线串口
- 电源电压
1.7 V ~ 5.5 V
- 工作温度
-40°C ~ 85°C
- 封装/外壳
8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装
8-SOIC
- 包装
带卷(TR)
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2019-11-21
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