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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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IDT70V631S10BC | HIGH-SPEED3.3V256Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM 文件：306.74 Kbytes Page：23 Pages | IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司 |  |   |
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HIGH-SPEED3.3V256Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:12ns(max.) ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansionwithout externallogic ◆IDT70V631easilyexpandsdatabuswidthto | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  | | |
HIGH-SPEED3.3V256Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:12ns(max.) ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansionwithout externallogic ◆IDT70V631easilyexpandsdatabuswidthto | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
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IDT70V631S10BC产品属性
- 类型
描述
- 型号
IDT70V631S10BC
- 功能描述
IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA
- RoHS
否
- 类别
集成电路(IC) >> 存储器
- 系列
-
- 标准包装
2,500
- 系列
- 格式 -
- 存储器
EEPROMs - 串行
- 存储器类型
EEPROM
- 存储容量
1K(128 x 8)
- 速度
100kHz
- 接口
UNI/O?（单线）
- 电源电压
1.8 V ~ 5.5 V
- 工作温度
-40°C ~ 85°C
- 封装/外壳
8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
- 供应商设备封装
8-MSOP
- 包装
带卷(TR)
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IDT |
21+ |
256CABGA |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
|||
IDT |
23+ |
256BGA |
9526 |
||||
IDT |
23+ |
256-CABGA(17x17) |
3200 |
专业分销产品!原装正品!价格优势! |
|||
IDT |
23+ |
256BGA |
7141 |
原装现货 |
|||
IDT |
22+ |
256CABGA |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
IDT |
1318+ |
128TQFP |
23568 |
优势现货可17%税 |
|||
IDT |
17+ |
LBGA-256 |
6800 |
100%原装进口现货,欢迎来电咨询 |
|||
IDT |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
IDT |
23+ |
256CABGA |
9000 |
原装正品，支持实单 |
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2019-11-21
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