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IDT70V3589S166DR

HIGH-SPEED3.3V128/64Kx36SYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE

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IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT

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HIGH-SPEED3.3V128/64Kx36SYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE

Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.6ns(166MHz)/4.2ns(133MHz)(max.) –Industrial:4.2ns(133MHz)(max.) ◆SelectablePipelinedorFlow-Throughoutputmode ◆Counterenableandrepeat

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

HIGH-SPEED3.3V128/64Kx36SYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE

Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.6ns(166MHz)/4.2ns(133MHz)(max.) –Industrial:4.2ns(133MHz)(max.) ◆SelectablePipelinedorFlow-Throughoutputmode ◆Counterenableandrepeat

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Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.6ns(166MHz)/4.2ns(133MHz)(max.) –Industrial:4.2ns(133MHz)(max.) ◆SelectablePipelinedorFlow-Throughoutputmode ◆Counterenableandrepeat

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HIGH-SPEED3.3V128/64Kx36SYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM

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IDT70V3589S166DR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IDT70V3589S166DR

  • 功能描述

    IC SRAM 2MBIT 166MHZ 208QFP

  • RoHS

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 标准包装

    3,000

  • 系列

    - 格式 -

  • 存储器

    EEPROMs - 串行

  • 存储器类型

    EEPROM

  • 存储容量

    8K(1K x 8)

  • 速度

    400kHz

  • 接口

    I²C,2 线串口

  • 电源电压

    1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳

    8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

  • 供应商设备封装

    8-SOIC

  • 包装

    带卷(TR)

更新时间:2024-5-13 19:35:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IDT
2138+
QFP
8960
专营BGA,QFP原装现货,假一赔十
IDT
21+
208PQFP
13880
公司只售原装,支持实单
23+
原厂封装
9888
专做原装正品,假一罚百!
IDT
22+
QFP
6980
原装现货,可开13%税票
IDT
24+
BGA
16000
原装优势绝对有货
IDT
23+
208PQFP
9000
原装正品,支持实单
IDT
2021+
QFP
3628
十年专营原装现货,假一赔十
IDT
23+
BGA
3200
全新原装、诚信经营、公司现货销售
IDT
22+
208PQFP
9000
原厂渠道,现货配单
IDT
23+
208PQFP
9526

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