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位置：首页 > IC中文资料第4113页 > IDT70V3579S4DR

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IDT70V3579S4DR

HIGH-SPEED3.3V32Kx36SYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE

文件：187.63 Kbytes Page：16 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
IDT70V3579S4DRI

HIGH-SPEED3.3V32Kx36SYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE

文件：187.63 Kbytes Page：16 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
70V3579S4BC

HIGH-SPEED3.3V32Kx36SYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE

Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedclocktodataaccess –Commercial:4.2/5/6ns(max.) –Industrial:5ns(max) ◆Pipelinedoutputmode ◆Counterenableandresetfeatures ◆Dualchipenablesallowfordepthexpan

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
70V3579S4BCG

HIGH-SPEED3.3V32Kx36SYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE

Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedclocktodataaccess –Commercial:4.2/5/6ns(max.) –Industrial:5ns(max) ◆Pipelinedoutputmode ◆Counterenableandresetfeatures ◆Dualchipenablesallowfordepthexpan

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
70V3579S4BCG

HIGH-SPEED3.3VSYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAM

文件：208.64 Kbytes Page：17 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
70V3579S4BCG

HIGH-SPEED3.3V32Kx36SYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAM

文件：184.83 Kbytes Page：17 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
70V3579S4BCGI

HIGH-SPEED3.3V32Kx36SYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAM

文件：184.83 Kbytes Page：17 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT

IDT70V3579S4DR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IDT70V3579S4DR

  • 功能描述

    IC SRAM 1.125MBIT 4NS 208QFP

  • RoHS

    否

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 标准包装

    3,000

  • 系列

    - 格式 -

  • 存储器

    EEPROMs - 串行

  • 存储器类型

    EEPROM

  • 存储容量

    8K(1K x 8)

  • 速度

    400kHz

  • 接口

    I²C，2 线串口

  • 电源电压

    1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳

    8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

  • 供应商设备封装

    8-SOIC

  • 包装

    带卷(TR)

IDT70V3579S4DR供应商更多...

更新时间：2024-5-6 12:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市航宇科工半导体有限公司
IDT70V3579S4DR
IDT
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