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位置：首页 > IC中文资料第3909页 > IDT70V261S

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IDT70V261S

HIGH-SPEED3.3V16Kx16DUAL-PORTSTATICRAM

文件：153.8 Kbytes Page：17 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
IDT70V261S

HIGH-SPEED3.3V16Kx16DUAL-PORTSTATICRAM

文件：338.47 Kbytes Page：17 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
IDT70V261S

HIGH-SPEED3.3V16Kx16DUAL-PORTSTATICRAM

文件：190.58 Kbytes Page：17 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
IDT70V261S_12

HIGH-SPEED3.3V16Kx16DUAL-PORTSTATICRAM

文件：338.47 Kbytes Page：17 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
IDT70V261S_17

HIGH-SPEED3.3V16Kx16DUAL-PORTSTATICRAM

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IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
IDT70V261S25PF

HIGH-SPEED3.3V16Kx16DUAL-PORTSTATICRAM

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IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
IDT70V261S25PFI

HIGH-SPEED3.3V16Kx16DUAL-PORTSTATICRAM

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IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
IDT70V261S35PF

HIGH-SPEED3.3V16Kx16DUAL-PORTSTATICRAM

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IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
IDT70V261S35PFI

HIGH-SPEED3.3V16Kx16DUAL-PORTSTATICRAM

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IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
IDT70V261S55PF

HIGH-SPEED3.3V16Kx16DUAL-PORTSTATICRAM

文件：153.8 Kbytes Page：17 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
IDT70V261S55PFI

HIGH-SPEED3.3V16Kx16DUAL-PORTSTATICRAM

文件：153.8 Kbytes Page：17 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
IDT70V261L

HIGH-SPEED3.3V16Kx16DUAL-PORTSTATICRAM

文件：153.8 Kbytes Page：17 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
70V261

HIGH-SPEED3.3V16Kx16DUAL-PORTSTATICRAM

Features ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:25/35ns(max.) –Industrial:25ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT70V261S Active:300mW(typ.) Standby:3.3mW(typ.) –IDT70V261L Active:300mW(typ.)

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
70V261L

HIGH-SPEED3.3V16Kx16DUAL-PORTSTATICRAM

Features ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:25/35ns(max.) –Industrial:25ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT70V261S Active:300mW(typ.) Standby:3.3mW(typ.) –IDT70V261L Active:300mW(typ.)

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
70V261S

HIGH-SPEED3.3V16Kx16DUAL-PORTSTATICRAM

Features ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:25/35ns(max.) –Industrial:25ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT70V261S Active:300mW(typ.) Standby:3.3mW(typ.) –IDT70V261L Active:300mW(typ.)

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

IDT70V261S产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IDT70V261S

  • 功能描述

    IC SRAM 256KBIT 25NS 100TQFP

  • RoHS

    否

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    - 格式 -

  • 存储器

    RAM

  • 存储器类型

    SRAM - 双端口，同步

  • 存储容量

    1.125M（32K x 36）

  • 速度

    5ns

  • 接口

    并联

  • 电源电压

    3.15 V ~ 3.45 V

  • 工作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳

    256-LBGA

  • 供应商设备封装

    256-CABGA（17x17）

  • 包装

    带卷(TR)

  • 其它名称

    70V3579S5BCI8

IDT70V261S供应商更多...

更新时间：2024-5-13 19:35:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
华富测量(深圳)传感技术有限公司
IDT70V261S25PF
IDT
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IDT70V261S25PF
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IDT70V261S25PF
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IDT70V261S55PF8
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IDT70V261S25PFI
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IDT70V261S25PF
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