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HIGH-SPEED3.3V16Kx16DUAL-PORTSTATICRAM

Features ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:25/35ns(max.) –Industrial:25ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT70V261S Active:300mW(typ.) Standby:3.3mW(typ.) –IDT70V261L Active:300mW(typ.)

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

HIGH-SPEED3.3V16Kx16DUAL-PORTSTATICRAM

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IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

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IDT70V261L25PFGI产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IDT70V261L25PFGI

  • 功能描述

    IC SRAM 256KBIT 25NS 100TQFP

  • RoHS

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    - 格式 -

  • 存储器

    RAM

  • 存储器类型

    SRAM - 双端口,同步

  • 存储容量

    1.125M(32K x 36)

  • 速度

    5ns

  • 接口

    并联

  • 电源电压

    3.15 V ~ 3.45 V

  • 工作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳

    256-LBGA

  • 供应商设备封装

    256-CABGA(17x17)

  • 包装

    带卷(TR)

  • 其它名称

    70V3579S5BCI8

更新时间:2024-5-12 23:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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