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位置：首页 > IC中文资料第2040页 > IDT70V07S35G

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IDT70V07S35G

HIGH-SPEED3.3V32Kx8DUAL-PORTSTATICRAM

Description TheIDT70V07isahigh-speed32Kx8Dual-PortStaticRAM.TheIDT70V07isdesignedtobeusedasastand-alone256K-bitDual-PortRAMorasacombinationMASTER/SLAVEDual-PortRAMfor16-bit-or-morewordsystems. Features ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
IDT70V07S35G

HIGH-SPEED3.3V32Kx8DUAL-PORTSTATICRAM

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集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
IDT70V07S35GI

HIGH-SPEED3.3V32Kx8DUAL-PORTSTATICRAM

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IDT
70V07S35G

HIGH-SPEED3.3V32Kx8DUAL-PORTSTATICRAM

Features ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:25/35/55ns(max.) –Industrial:35ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT70V07S Active:300mW(typ.) Standby:3.3mW(typ.) –IDT70V07L Active:300mW(typ.

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
70V07S35GG

HIGH-SPEED3.3V32Kx8DUAL-PORTSTATICRAM

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HIGH-SPEED3.3V32Kx8DUAL-PORTSTATICRAM

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IDT

IDT70V07S35G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IDT70V07S35G

  • 功能描述

    IC SRAM 256KBIT 35NS 68PGA

  • RoHS

    否

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 标准包装

    3,000

  • 系列

    - 格式 -

  • 存储器

    EEPROMs - 串行

  • 存储器类型

    EEPROM

  • 存储容量

    8K(1K x 8)

  • 速度

    400kHz

  • 接口

    I²C，2 线串口

  • 电源电压

    1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳

    8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

  • 供应商设备封装

    8-SOIC

  • 包装

    带卷(TR)

IDT70V07S35G供应商更多...

更新时间：2024-5-14 18:08:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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